本揭露引入一种随机数产生器，包括：控制电路、振荡电路、动态标头电路、振荡检测电路以及锁存器电路。控制电路扫描多个配置当中的偏置控制信号的配置。动态标头电路基于偏置控制信号的配置而产生偏置电压。振荡电路基于偏置电压而产生振荡信号。振荡检测...

提供一种存储器件及其形成方法。存储器件包括：选择器；磁性隧道结(MTJ)结构，设置在选择器上；自旋轨道扭矩(SOT)层，设置在选择器与MTJ结构之间，其中SOT层具有与选择器的侧壁对准的侧壁；晶体管，其中晶体管具有电耦合到MTJ结构的漏...

本公开提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括设置在衬底上方的热传递层、沟道材料层、栅极结构以及源极及漏极端子。沟道材料层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，且设置在热传递层上，其中第一表面与热传递层接触。栅极结构设置...

在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片及其形成方法。所述集成芯片包括设置在衬底上方的介电堆叠。所述介电堆叠具有交错在第二多个层之间的第一多个层。所述介电堆叠具有一个或多个表面，所述一个或多个表面界定在对应于所述第二多个层的不同垂直高度处...

本公开涉及一种包含衬底的集成芯片。光检测器布置在衬底内。沟槽隔离结构在光检测器的相对侧上延伸到衬底中。沟槽隔离结构将光检测器与相邻光检测器分离。第一钝化层位于衬底的侧壁与沟槽隔离结构的侧壁之间。第一钝化层包含氢化非晶硅。含氢化非晶硅。含...

本公开的各种实施例涉及一种图像传感器及形成半导体器件的方法。图像传感器包括设置在衬底内的多个光电探测器。金属网格层设置在衬底之上。金属网格层包括上覆在衬底的中心像素区上的金属网格结构。金属网格层从中心像素区连续地延伸到衬底的在侧向上围绕...

本文中公开一种用于提供静电放电抗扰性的设备及其制造方法。所述设备包括：场效应晶体管，在前段工艺期间形成在前段工艺层中的半导体衬底上；金属内连线层，在后段工艺期间形成在前段工艺层顶部，其中金属内连线层包括配置成将场效应晶体管内连到形成在半...

在一些实施例中，本公开涉及一种存储器件、形成其的方法及包括存储单元的存储器件，所述存储器件包括半导体衬底、设置在半导体衬底之上的第一电极、设置在第一电极与半导体衬底之间的铁电层及将第一电极与铁电层隔开的第一应力源层。第一应力源层具有比铁...

本发明实施例提供了一种封装及半导体器件及其形成方法。本文中阐述了光子和电子元件的异构封装集成。在一个实施例中，一种所公开的封装包括：封装衬底；第一层，包括位于封装衬底上的电子管芯；及包括光子管芯的第二层。第二层结合到第一层上使得光子管芯...

一种方法包括产生朝工件载具的第一槽的第一辐射射束。第一辐射射束具有第一射束面积，第一射束面积大于或等于第一槽的开口的面积。所述方法还包括测量第一辐射射束的朝辐射传感器反射并照射在辐射传感器上的反射部分。所述方法还包括基于第一辐射射束的所...

提供一种形成半导体构造的方法。所述方法包括在衬底的顶表面之上形成图案化光刻胶。所述方法包括使用图案化光刻胶对衬底的第一部分进行掺杂。所述方法包括使用包含氟化物的气体移除图案化光刻胶，其中在移除图案化光刻胶之后，来自气体的氟化物残留物存留...

一种用于处理晶圆的设备以及处理晶圆的方法，用于处理晶圆的设备包含第一制程处理室、第二制程处理室、转移区、机器手臂装置以及抽气管。转移区连接该第一制程处理室以及该第二制程处理室。机器手臂装置设置于该转移区中。该机器手臂装置包含晶圆夹具、移...

提供一种感应耦合电浆设备及其操作方法，操作感应耦合电浆设备的方法包含：将一第一磁场遮蔽元件设置邻近于一反应室的一第一侧；当第一磁场遮蔽元件设置邻近于该反应室的该第一侧时，进行一第一电浆制程；在进行完该第一电浆制程之后，从该反应室的该第一...

本发明实施例涉及一种冰水主机的供水控制系统及其操控方法。冰水主机的供水控制系统包括出水管线、回水管线、主机出水端温度计、主机回水端温度计、多个设备端注水温度计及设备端出水温度计及控制装置。冰水主机输出的冰水经由出水管线传送到目的设备进行...

半导体结构包括第一finfet单元和第二finfet单元。第一finfet单元的每个具有根据模拟电路设计规则的模拟鳍边界，并且第二finfet单元的每个具有根据数字电路设计规则的数字鳍边界。半导体结构还包括形成有第一finfet单元的第...

半导体器件包括衬底。第一纳米片结构和第二纳米片结构设置在衬底上。第一纳米片结构和第二纳米片结构的每个具有至少一个形成源极/漏极区域的纳米片和包括导电栅极接触件的栅极结构。第一氧化物结构设置在第一纳米片结构和第二纳米片结构之间的衬底上。导...

提供了图像传感器及形成图像传感器的方法。根据本发明的半导体器件包括半导体层、设置在该半导体层中的多个金属隔离部件、设置在该多个金属隔离部件正上方的金属栅格以及设置在该金属栅格上方的多个微透镜部件。本申请的实施例还涉及半导体器件。的实施例...

本公开涉及半导体器件中的栅极接触结构和栅极过孔结构。该半导体器件包括：衬底；设置在衬底上的鳍结构；设置在鳍结构上的源极/漏极(S/D)区；以及设置在鳍结构上的栅极结构，该栅极结构与S/D区相邻。栅极结构包括设置在鳍结构上的栅极堆叠和设置...

本公开提供了带涂覆层的光学组件及使用方法。在EUV光刻系统中，经涂覆的纳米管和纳米管束被形成在光学组件中有用的膜中。这些光学组件在用于在半导体衬底上图案化材料的方法中有用。这样的方法涉及在UV光刻系统中产生UV辐射。UV辐射穿过光学组件...

本公开涉及具有穿硅过孔、保护环的器件及其制作方法。一种半导体制品，包括半导体衬底、半导体衬底上的后段制程(BEOL)布线部分、穿硅过孔和保护环。半导体衬底由半导体材料制成。BEOL布线部分包括具有导电布线的多个布线层、和电绝缘材料。穿硅...