存储器件、形成存储器件的方法以及存储阵列技术

提供一种存储器件及其形成方法。存储器件包括：选择器；磁性隧道结(MTJ)结构，设置在选择器上；自旋轨道扭矩(SOT)层，设置在选择器与MTJ结构之间，其中SOT层具有与选择器的侧壁对准的侧壁；晶体管，其中晶体管具有电耦合到MTJ结构的漏极；字线，电耦合到晶体管的栅极；位线，电耦合到SOT层；第一源极线，电耦合到晶体管的源极；以及第二源极线，电耦合到选择器，其中晶体管被配置成控制在位线与第二源极线之间流动的写入信号，且控制在位线与第一源极线之间流动的读取信号。之间流动的读取信号。之间流动的读取信号。

【技术实现步骤摘要】
存储器件、形成存储器件的方法以及存储阵列


[0001]本专利技术的实施例是涉及一种存储器件、形成存储器件的方法以及存储阵列。

技术介绍

[0002]许多现代电子器件包含电子存储器。电子存储器可为易失性存储器或非易失性存储器。非易失性存储器能够在不存在电力的情况下存储数据，而易失性存储器则不能。下一代电子存储器的一些实例包括电阻式随机存取存储器(resistive random
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access memory，RRAM)、相变随机存取存储器(phase
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change random
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access memory，PCRAM)、磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random
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access memory，MRAM)等。MRAM提供与易失性静态随机存取存储器(static random
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access memory，SRAM)相当的性能，以及与易失性动态随机存取存储器(dynamic random
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access memor本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器件，包括：选择器；磁性隧道结结构，设置在所述选择器上；自旋轨道扭矩层，设置在所述选择器与所述磁性隧道结结构之间，其中所述自旋轨道扭矩层具有与所述选择器的侧壁对准的侧壁；晶体管，其中所述晶体管具有电耦合到所述磁性隧道结结构的漏极；字线，电耦合到所述晶体管的栅极；位线，电耦合到所述自旋轨道扭矩层；第一源极线，电耦合到所述晶体管的源极；以及第二源极线，电耦合到所述选择器，其中所述晶体管被配置成控制在所述位线与所述第二源极线之间流动的写入信号，且控制在所述位线与所述第一源极线之间流动的读取信号。2.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：第一电气端子，电耦合到所述选择器及所述第二源极线；第二电气端子，电耦合到所述自旋轨道扭矩层及所述位线，其中所述第一电气端子与所述选择器之间的接触面积小于所述第二电气端子与所述自旋轨道扭矩层之间的接触面积；以及第三电气端子，设置在所述磁性隧道结结构上且电耦合到所述磁性隧道结结构及所述晶体管。3.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述写入信号垂直地穿过所述选择器且在侧向上行进跨过所述自旋轨道扭矩层，而所述读取信号垂直地穿过所述磁性隧道结结构且在侧向上行进跨过所述自旋轨道扭矩层。4.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一源极线与所述第二源极线彼此电连接以形成共用源极线。5.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述磁性隧道结结构至少包括：自由层，与所述自旋轨道扭矩层接触；钉扎参考层，设置在所述自由层上；以及阻挡层，设置在所述自由层与所述钉扎参考层之间。6.一种形成存储器件的方法，包括：在衬底上形成晶体管；在所述晶体管上形成内连线结构；以及在所述内连线结构中形成存储胞元，其中所述存储胞元包括：选择器，电耦合到所述晶体管的源极；磁性隧道结结构，形成在所述选择器上且电耦合到所述晶体管的漏极；以及自旋轨道扭矩层，形成在所述选择器与所述磁性隧道结结构之间，其中所述自旋轨道扭矩层具有与所述选择器的侧壁对准的侧壁，其中所述晶体管被配...

【专利技术属性】
技术研发人员：李乾铭，宋明远，黄彦霖，林世杰，李东颖，鲍新宇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：