静电放电保护设备、装置及其形成方法制造方法及图纸

本文中公开一种用于提供静电放电抗扰性的设备及其制造方法。所述设备包括：场效应晶体管，在前段工艺期间形成在前段工艺层中的半导体衬底上；金属内连线层，在后段工艺期间形成在前段工艺层顶部，其中金属内连线层包括配置成将场效应晶体管内连到形成在半导体衬底上的多个组件的多个内连线；电力输送网，在背侧后段工艺期间形成在背侧层中的半导体衬底之下；以及贯穿衬底电阻性组件，形成在前段工艺层与背侧后段工艺层之间，其中贯穿衬底电阻性组件的第一接触件连接到场效应晶体管的漏极端且第二接触件通过电力输送网连接到电力供应轨。供应轨。供应轨。

【技术实现步骤摘要】
静电放电保护设备、装置及其形成方法


[0001]本公开是涉及一种静电放电保护设备、静电放电保护装置及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路(integrated circuit；IC)制造技术的进步，越来越多的电路被集成在单个芯片中。此外，单个IC芯片可包含配置成保护集成电路不受静电放电(electrostatic discharge；ESD)事件影响的ESD保护电路。ESD是金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistors；MOSFET)中已知的故障原因。举例来说，在ESD事件期间，相对较大的电流脉冲可能意外地流过IC芯片的元件。首先遇到ESD脉冲的元件通常为直接连接到接合垫或端子的输入缓冲器和/或输出缓冲器，所述接合垫或端子通常可能暴露于ESD脉冲。通常使用相对较大晶体管实施的此类输入缓冲器和/或输出缓冲器可能被ESD脉冲损坏。在一些情况下，芯片上的较小内部晶体管也可能被损坏。
[0003]在一些情况下，通过栅极端供应到晶体管的ESD电流脉冲本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电放电保护设备，包括：场效应晶体管，形成在前段工艺层中的半导体衬底上；金属内连线层，形成在所述前段工艺层顶部，其中所述金属内连线层包括配置成将所述场效应晶体管内连到形成在所述半导体衬底上的多个组件的多个内连线；电力输送网，形成在背侧层中的所述半导体衬底之下；以及贯穿衬底电阻性组件，形成在所述前段工艺层与背侧后段工艺层之间，其中所述贯穿衬底电阻性组件的第一接触件连接到所述场效应晶体管的漏极端且所述贯穿衬底电阻性组件的第二接触件通过所述电力输送网连接到电力供应轨。2.根据权利要求1所述的静电放电保护设备，其中所述背侧层包括由一或多个介电层所分离的一或多个金属内连线层。3.根据权利要求1所述的静电放电保护设备，其中所述电阻性组件具有用于实现预定电阻值的竖向锥形轮廓。4.根据权利要求1所述的静电放电保护设备，其中所述贯穿衬底电阻性组件的所述第一接触件通过形成在所述前段工艺层中的内连线连接到所述场效应晶体管的漏极端。5.一种静电放电保护装置，包括：多个晶体管，在前段工艺期间形成在半导体衬底上；金属内连线，在后段工艺期间形成在所述多个晶体管顶部且配置成内连所述多个晶体管；以及贯穿衬底电阻性组件，通过所述金属内连线连接到所...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶昱宏，林文杰，李介文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：