集成芯片及其形成方法技术

在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片及其形成方法。所述集成芯片包括设置在衬底上方的介电堆叠。所述介电堆叠具有交错在第二多个层之间的第一多个层。所述介电堆叠具有一个或多个表面，所述一个或多个表面界定在对应于所述第二多个层的不同垂直高度处凹入所述介电堆叠一侧中的多个凹口。电容器结构衬于所述介电堆叠的所述一个或多个表面上。所述电容器结构包括由电容器介电质分开的导电电极。结构包括由电容器介电质分开的导电电极。结构包括由电容器介电质分开的导电电极。

【技术实现步骤摘要】
集成芯片及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种集成芯片及其形成方法。

技术介绍

[0002]集成芯片形成在包括数百万或数十亿晶体管器件的半导体管芯上。晶体管器件被配置成充当开关和/或产生功率增益，以使得能够达成集成芯片的逻辑功能(例如，形成被配置成执行逻辑功能的处理器)。集成芯片还包括被动器件，例如电容器、电阻器、电感器、变容器等。被动器件广泛用于控制集成芯片特性，例如增益(grain)、时间常数(time constant)等。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种集成芯片，其包括介电堆叠以及电容器结构。介电堆叠设置在衬底上方并且包括交错在第二多个层之间的第一多个层，其中所述介电堆叠具有一个或多个表面，所述一个或多个表面界定多个凹口，所述多个凹口在对应于所述第二多个层的不同垂直高度处凹入所述介电堆叠的一侧中。电容器结构衬于所述介电堆叠的所述一个或多个表面上，其中所述电容器结构包括由电容器介电质分开的导电电极。
[0004]本专利技术实施例提供一种集成芯片，其包括介电堆叠与电容器结构。介电堆叠设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，包括：介电堆叠，设置在衬底上方并且包括交错在第二多个层之间的第一多个层，其中所述介电堆叠具有一个或多个表面，所述一个或多个表面界定多个凹口，所述多个凹口在对应于所述第二多个层的不同垂直高度处凹入所述介电堆叠的一侧中；以及电容器结构，衬于所述介电堆叠的所述一个或多个表面上，其中所述电容器结构包括由电容器介电质分开的导电电极。2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述电容器结构具有由空腔分开的表面，所述空腔在所述第一多个层的第一层的侧壁之间具有第一宽度，且在所述第二多个层的第二层的侧壁之间具有第二宽度，所述第二宽度不同于所述第一宽度。3.根据权利要求2所述的集成芯片，还包括：止挡件，在所述空腔上方连续延伸并越过所述电容器结构的侧壁，沿着所述空腔的顶部布置。4.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述多个凹口的深度随着距所述衬底的垂直距离增加而增加。5.一种集成芯片，包括：介电堆叠，设置在衬底上方并且包括交错在第二多个第二材料层之间的第一多个第一材料层，其中所述介电堆叠包括界定电容器开口的一个或多个表面；电容器结构，衬于所述介电堆叠的界定所述电容器开口的所述一个或多个表面上，其中所述电容器结构具有从所述电容器结构的侧壁向外延伸到由所述第二多个层界定的最大延伸处的多个突起；且其中所述电容器结构具有内表面，所述内表面界定将所述内表面分开的空腔。6.根据权利要求5所述的集成芯片，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大卡尔尼斯基，刘铭棋，李汝谅，李升展，陈升照，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：