具有两个或多个谐振器沟槽的分级的“台阶状”半导体结构的装置和制造方法。半导体结构可包含第一谐振器和第二谐振器。第一谐振器包含第一金属性谐振层和覆盖板，此覆盖板具有与第一金属性谐振层的远端相距第一距离的底表面。第二谐振器包含第二金属性谐振...

一种极紫外源、改善不对称沉积的方法、及辐射源，控制系统包含数个压力感测器，每个压力感测器侦测数个动态气锁喷嘴控制区的相应动态气锁分嘴控制区中的压力。每个动态气锁喷嘴控制区包含一或多个动态气锁喷嘴。此控制系统包含数个质量流动控制器。数个质...

本公开提供静电放电电路及结构与用于操作所述静电放电电路及结构的方法。一种电路包含第一晶体管及第二晶体管。所述第一晶体管包含漏极、源极、栅极及本体。所述第一晶体管的所述漏极经连接到第一端子。所述第一晶体管的所述源极经连接以接收第一电压。所...

本揭示案揭示一种微影方法、微影制程与微影系统。微影方法包括得到污染层厚度和补偿能量之间的关系，其中污染层形成在光罩上且补偿能量可移除污染层。微影方法还包括从厚度量测装置得到第一污染层的第一厚度，其中第一污染层形成在光罩上。微影方法还包括...

本发明实施例涉及一种用于检测生物分子的系统及方法。所述方法包括将与第一目标生物分子相关联的第一涂层放置于传感器的感测膜的第一部分上且将与所述第一目标生物分子相关联的第二涂层放置于所述感测膜的所述第一部分上。所述方法进一步包括：由所述传感...

本发明实施例涉及基于机器学习的模型构建器及其在半导体制造中的图案转移应用。在此揭露了一种系统和方法用于光掩模的掩模图案的优化光学邻近校正模型。基于机器学习的模型构建器包括：光学邻近校正模型、测量数据和随机项生成器。随机项由随机项生成器在...

本文描述的一些实施方式提供了一种曝光工具及使用曝光工具的方法。该曝光工具包括遮罩变形侦测器及一或多个处理器，该一或多个处理器用以在扫描晶圆的多个场的扫描制程期间经由遮罩变形侦测器获取与遮罩相关联的遮罩变形信息。一或多个处理器在扫描制程期...

本发明实施例涉及光掩模与检验光掩模的方法。本发明实施例提供一种光掩模，其包含：多个图案区域，所述图案区域中的每一者由相应边界定义，第一图案区域包含第一掩模特征；及训练区域，其相邻于所述图案区域的边界，所述训练区域包括第一训练特征，其中所...

本发明实施例涉及晶片升降销系统。晶片升降销系统能够动态地调整或调节流入和流出晶片升降销系统的升降销的气体流量，以在将气体供应到升降销的供应管线中达到并维持一致的压力。这使晶片升降销系统能够精确地控制升降销的速度、加速度和减速度，以使升降...

本发明实施例涉及光罩表层膜及其形成方法。在衬底上方沉积第一覆盖层。在第一覆盖层上生长纳米线网络。在纳米线网络上沉积第二覆盖层。蚀刻衬底以形成表层膜的框。将第一覆盖层和第二覆盖层图案化以形成表层膜的薄膜，其中图案化使第一覆盖层和第二覆盖层...

一种半导体装置、记忆体装置及制造记忆体装置的方法，半导体装置包括沿垂直方向延伸的第一导电结构及沿垂直方向延伸的第二导电结构。第二导电结构沿第一侧向与第一导电结构间隔开。半导体装置包括多个第三导电结构，其各自沿第一侧向延伸。第三导电结构横...

一种集成电路以及操作集成电路的方法，集成电路包含一个高定限电路、一个低定限电路，及一个控制电路。高定限电路透过比较输入电压信号与高临界电压，来设置第一启动信号的逻辑准位。低定限电路透过比较输入电压信号与低临界电压，来设置第二启动信号的逻...

一种半导体元件及其制造方法与静电放电保护装置，半导体元件包含P掺杂井具有在基材中的第一浓度的P型掺质；P掺杂区具有在基材中的第二浓度的P型掺质，且延伸围绕P掺杂井的周缘；浅沟渠隔离结构(STI)位于P掺杂井与P掺杂区之间；主动区位于基材...

一种形成半导体装置的方法，其包含产生具有主图案集的原始布局；在微影系统的光瞳面上模拟原始布局的第一能量分布，其中第一能量分布具有第一波前；通过在原始布局的未由主图案集占据的区域中插入虚设图案集来产生第一经修改布局；在微影系统的光瞳面上模...

一种清洁极紫外线遮罩的系统和方法，极紫外线微影系统清洁EUV光罩上的碎屑。该系统包括用以邻近EUV光罩定位的清洁电极。该系统包括电压源，该电压源通过向清洁电极施加交替极性的电压来帮助将碎屑自EUV光罩吸向清洁电极。极。极。

一种半导体装置，记忆体装置及其制造方法，半导体装置包含沿垂直方向延伸的第一导电结构及沿垂直方向延伸的第二导电结构。第二导电结构沿一侧向与第一导电结构间隔开。半导体装置进一步包含多个第三导电结构，各个第三导电结构沿该侧向延伸。多个第三导电...

本揭示内容提供一种温度补偿电路、电压参考电路及产生参考电压的方法。一温度补偿电路可包括与绝对温度成比例(PTAT)电路及与绝对温度互补(CTAT)电路，其中PTAT电路及CTAT电路包括至少一公共金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET...

本文提到一种形成半导体装置的方法中所描述的多个双重图案化技术可以减少在一像素阵列中形成一深沟槽隔离(DTI)结构期间可能会以其他方式出现的拐角圆化、蚀刻负载及/或多个其他缺陷。该些双重图案化技术包含在多个图案化操作中在一第一方向上形成一...

一种晶体管、晶体管中的栅极结构及栅极结构的形成方法，在一些实施例中，一种形成栅极结构的方法包括：在一基板上方形成多个纳米结构；蚀刻该些纳米结构以形成第一凹槽；在该些第一凹槽中形成源极/漏极区；移除该些纳米结构中的第一纳米结构，从而留下该...

本发明实施例涉及接口工具。封闭式气体循环系统可包含密封气室、循环风扇和风扇过滤单元(FFU)入口，以容纳、过滤、调节和再循环通过接口工具腔室的气体。供应给腔室的气体在封闭式气体循环系统中维持在调节的环境中，这与通过FFU入口将外部空气引...