微影方法、微影制程与微影系统技术方案

本揭示案揭示一种微影方法、微影制程与微影系统。微影方法包括得到污染层厚度和补偿能量之间的关系，其中污染层形成在光罩上且补偿能量可移除污染层。微影方法还包括从厚度量测装置得到第一污染层的第一厚度，其中第一污染层形成在光罩上。微影方法还包括对引导至光罩的光施加第一补偿能量，其中通过得到的关系而计算出第一补偿能量。计算出第一补偿能量。计算出第一补偿能量。

【技术实现步骤摘要】
微影方法、微影制程与微影系统


[0001]本揭示案实施例是有关于微影方法、微影制程以及应用此微影方法或微影制程的微影系统。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit,IC)产业已历经了指数成长。IC材料及设计的技术性进步已产生了数个世代的ICs，其中各世代都比前一世代具有更小且更复杂的电路。在IC演进的历程中，功能密度(即单位晶片面积的内连线装置数目)通常会增加，而几何尺寸(即可使用制程生产的最小元件(或线))却减少。此微缩化(scaling down)的制程通常通过提高生产效率及降低相关成本来提供效益。此微缩化亦增加IC制程的复杂性。
[0003]例如，需要执行更高解析度的微影制程。有一种微影技术是极紫外微影技术(extreme ultraviolet lithodgraphy,EUVL)。极紫外微影技术中采用的扫描器是使用在极紫外(extreme ultraviolet,EUV)区域波段的光，其波长大约1至100纳米。EUV光源的其中一种类型是激光激发电浆(laser
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produced plasma,LPP)。LPP技术产生EUV光线是透过聚焦高能激光束至小目标液滴以形成高离子化电浆，其中此高离子化电浆发射出具有最大发光峰值在13.5nm的EUV辐射。接着，集光器收集EUV光线，以及光学元件反射EUV光线至微影曝光目标，例如基材。
[0004]虽然目前微影设备的方法和设备足以符合原本预期的使用目的，但未必能满足各方面的要求。因此，为了改善临界尺寸变异，如何减少EUV光罩上的污染是需解决的问题。

技术实现思路

[0005]根据本揭示案的一个实施例，一种微影方法包括得到污染层厚度和补偿能量之间的关系，其中污染层形成在光罩上且补偿能量可移除污染层。微影方法还包括从厚度量测装置得到第一污染层的第一厚度，其中第一污染层形成在光罩上。微影方法还包括对引导至光罩的光施加第一补偿能量，其中通过前述的关系而计算出第一补偿能量。
[0006]根据本揭示案的另一实施例，一种微影制程包括进行微影制程在微影系统中。微影系统包括第一光源、光罩载台、基材载台、以及厚度量测装置，厚度量测装置设置以量测污染层厚度，其中污染层形成在光罩上且光罩配置在光罩载台上。
[0007]根据本揭示案的又一实施例，一种微影系统包括光源、光罩载台、基材载台、以及光罩储存库。光罩储存库包括数个储存单元以及第一厚度量测装置，第一厚度量测装置设置以量测污染层厚度，其中污染层形成在光罩上且光罩配置在光罩储存库中。
附图说明
[0008]阅读以下实施方法时搭配附图以清楚理解本揭示案的观点。应注意的是，根据业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种特征的尺寸可能任意地放大或缩小。
[0009]图1根据本揭示案的一些实施例绘示微影系统的示意图；
[0010]图2根据本揭示案的一些实施例绘示光罩的截面图；
[0011]图3根据本揭示案的一些实施例绘示污染层厚度和临界尺寸减少量之间的关系的图表；
[0012]图4A至图4C根据本揭示案的一些实施例绘示如何使用补偿能量以减少临界尺寸变异的图表；
[0013]图5A至图5B根据本揭示案的另一些实施例绘示微影系统的示意图；
[0014]图6根据本揭示案的一些实施例绘示光罩储存库的俯视图。
[0015]【符号说明】
[0016]10:微影系统
[0017]12:辐射源/光源
[0018]14:照明器
[0019]16:光罩载台
[0020]18:光罩
[0021]20:投影光学模块/投影光学盒
[0022]22:光瞳相位调节器
[0023]24:投影光瞳平面
[0024]26:基材
[0025]28:基材载台
[0026]30:光源
[0027]32:侦测器
[0028]40:基材
[0029]42:反射多层膜
[0030]44:薄膜
[0031]46:薄膜
[0032]48:覆盖层
[0033]50:吸收层
[0034]52:图案
[0035]54:背侧导电涂层
[0036]56:污染层
[0037]80:控制器
[0038]101:装载端口
[0039]102:传输模块
[0040]104:运送载台
[0041]105:制程装置
[0042]105A:微影腔室
[0043]105B:装置腔室
[0044]105C:开口
[0045]107:控制器
[0046]200:光罩
[0047]250:光源
[0048]260:投影光学模块/投影光学盒
[0049]265:厚度量测装置
[0050]270:轴
[0051]300:光罩载台
[0052]302:配适线
[0053]304:配适线
[0054]400:基材
[0055]402:线
[0056]404:线
[0057]406:线
[0058]408:线
[0059]600:光罩储存库
[0060]602:储存单元
[0061]604:门架
[0062]606:轨道
[0063]608:支撑件
[0064]610:机械手臂
[0065]612:载台
[0066]614:厚度量测装置
[0067]1021:控制线路
[0068]1023:机械手臂
[0069]1051:基材载台
具体实施方式
[0070]以下的揭示内容提供许多不同的实施例或范例，以展示本揭示案的不同特征。以下将揭示本揭示案各部件及其排列方式的特定范例，用以简化本揭示案叙述。当然，这些特定范例并非用于限定本揭示案。例如，若是本揭示案以下的
技术实现思路
叙述了将形成第一结构于第二结构之上或上方，即表示其包括了所形成的第一及第二结构是直接接触的实施例，亦包括了尚可将附加的结构形成于上述第一及第二结构之间，则第一及第二结构为未直接接触的实施例。此外，本揭示案说明中的各式范例可能使用重复的参照符号及/或用字。这些重复符号或用字的目的在于简化与清晰，并非用以限定各式实施例及/或所述外观结构之间的关系。
[0071]再者，为了方便描述附图中一元件或特征部件与另一(些)元件或特征部件的关系，可使用空间相关用语，例如“在...之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及诸如此类用语。除了附图所绘示的方位外，空间相关用语亦涵盖使用或操作中的装置的不同方位。当装置被转向不同方位时(例如，旋转90度或者其他方位)，则其中所使用的空间相关形容词亦将依转向后的方位来解释。
[0072]图1根据本揭示案的一些实施例绘示微影系统10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微影方法，其特征在于，包括：得到一污染层的厚度和一补偿能量之间的一关系，其中该污染层形成在一光罩上且该补偿能量移除该污染层；从一厚度量测装置得到一第一污染层的一第一厚度，其中该第一污染层形成在该光罩上；以及对引导至该光罩的一第一光施加一第一补偿能量，其中通过该关系而计算出该第一补偿能量。2.根据权利要求1所述的微影方法，其特征在于，进一步包括在施加该第一补偿能量之后形成一第二污染层在该光罩上，其中该第二污染层在该光罩闲置一时间的过程中形成。3.根据权利要求2所述的微影方法，其特征在于，进一步包括对引导至该光罩的一第二光施加一第二补偿能量，其中通过该关系而计算出该第二补偿能量。4.根据权利要求3所述的微影方法，其特征在于，该第一补偿能量不同于该第二补偿能量。5.一种微影制程，其特征在于，包括：进行该微影制程在一微影系统中，其中该微影系统包括：一第一光源；一光罩载台；一基材载台；以及一厚度量测装置，设置以量测一污染层的一厚度，其中该污染层形成在一光罩上且该光罩配置在...

【专利技术属性】
技术研发人员：林明勳，何宇翔，陈俊华，廖啟宏，庄灯贵，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：