温度补偿电路、电压参考电路及产生参考电压的方法技术

本揭示内容提供一种温度补偿电路、电压参考电路及产生参考电压的方法。一温度补偿电路可包括与绝对温度成比例(PTAT)电路及与绝对温度互补(CTAT)电路，其中PTAT电路及CTAT电路包括至少一公共金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)，且用以回应于经调整的电流输入而共同产生参考电压。PTAT电路可用以随着温度的升高而产生参考电压的幅度的增大，且CTAT电路可用以随着温度的升高而产生参考电压的幅度的减小，其中由PTAT电路产生的参考电压的幅度的增大至少部分地被由CTAT电路产生的参考电压的幅度的减小所抵消。的幅度的减小所抵消。的幅度的减小所抵消。

【技术实现步骤摘要】
温度补偿电路、电压参考电路及产生参考电压的方法


[0001]本揭示内容中描述的技术通常是关于电压参考电路及方法。

技术介绍

[0002]电压参考是通常用作混合模式及模拟集成电路(integrated circuit，IC)中的功能区块的电路，例如数据转换器、锁相回路(phase lock
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loop，PLL)、振荡器、电源管理电路、动态随机存取记忆体(dynamic random access memory，DRAM)、快闪记忆体等。较佳地，电压参考通常与温度、电源及负载变化无关。
[0003]为了帮助补偿温度变化，已知的电压参考电路包括利用双极接面晶体管(bipolar junction transistor，BJT)技术的温度补偿电路。在诸如低电压参考电路的演进技术中，基于BJT的温度补偿电路的效能可能受到限制，例如由于BJT或二极管接入电压。因此，需要使用基于金属氧化物半导体(metal
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oxide semiconductor，MOS)的技术来提供高精度、低温度系数(temperature c本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温度补偿电路，其特征在于，包含：一与绝对温度成比例电路；及一与绝对温度互补电路，该与绝对温度成比例电路及该与绝对温度互补电路包括至少一个公共金属氧化物半导体场效晶体管，且用以回应于一经调整的电流输入而共同产生一参考电压，该与绝对温度成比例电路用以随着温度的一升高而产生该参考电压的幅度的一增大，且该与绝对温度互补电路用以随着温度的该升高而产生该参考电压的幅度的一减小，其中由该与绝对温度成比例电路产生的该参考电压的幅度的该增大至少部分地被由该与绝对温度互补电路产生的该参考电压的幅度的该减小所抵消。2.如权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，在该温度补偿电路的一输入节点处接收该经调整的电流输入，且在该温度补偿电路的一输出节点处产生该参考电压，且其中该与绝对温度成比例电路包含一第一金属氧化物半导体场效晶体管及一第二金属氧化物半导体场效晶体管，其中该第一金属氧化物半导体场效晶体管的一源极端子及该第一金属氧化物半导体场效晶体管的一栅极端子耦接至该温度补偿电路的该输入节点，在该温度补偿电路的该输出节点处，该第一金属氧化物半导体场效晶体管的一漏极端子耦接至该第二金属氧化物半导体场效晶体管的一源极端子，且该第二金属氧化物半导体场效晶体管的一漏极端子耦接至一接地电位，且该与绝对温度互补电路包含该第二金属氧化物半导体场效晶体管、一第一电阻器及一第二电阻器，该第一电阻器耦接于该第一金属氧化物半导体场效晶体管的该栅极端子与该第二金属氧化物半导体场效晶体管的一栅极端子之间，且该第二电阻器耦接于该第二金属氧化物半导体场效晶体管的该栅极端子与该接地电位之间。3.如权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，在该温度补偿电路的一输入节点处接收该经调整的电流输入，且在该温度补偿电路的一输出节点处产生该参考电压，且其中该与绝对温度成比例电路包含一第一系列金属氧化物半导体场效晶体管及一第二系列金属氧化物半导体场效晶体管，该第一系列金属氧化物半导体场效晶体管包括一第一复数个金属氧化物半导体场效晶体管，该第一复数个金属氧化物半导体场效晶体管通过其源极漏极端子串联耦接，且该第一复数个金属氧化物半导体场效晶体管的每个栅极端子耦接在一起，该第二系列金属氧化物半导体场效晶体管包括一第二复数个金属氧化物半导体场效晶体管，该第二复数个金属氧化物半导体场效晶体管通过其源极漏极端子串联耦接，且该第二复数个金属氧化物半导体场效晶体管的每个栅极端子耦接在一起，该第一系列金属氧化物半导体场效晶体管的一源极端子及该第一系列金属氧化物半导体场效晶体管的该些栅极端子耦接至该温度补偿电路的该输入节点，在该温度补偿电路的该输出节点处，该第一系列金属氧化物半导体场效晶体管的一漏极端子耦接至该第二系列金属氧化物半导体场效晶体管的一源极端子，且该第二系列金属氧化物半导体场效晶体管的一漏极端子耦接至一接地电位，且
该与绝对温度互补电路包含该第二系列金属氧化物半导体场效晶体管、一第一电阻器及一第二电阻器，该第一电阻器耦接于该第一系列金属氧化物半导体场效晶体管的该些栅极端子与该第二系列金属氧化物半导体场效晶体管的该些栅极端子之间，且该第二电阻器耦接于该第二系列金属氧化物半导体场效晶体管的该些栅极端子与该接地电位之间。4.一种电压参考电路，其特征在于，包含：一温度补偿电路，用以在一输入节点处接收一经调整的电流输入且在一输出节点处产生一参考电压，该温度补偿电路包含一与绝对温度成比例电路及一与绝对温度互补电路，该与绝对温度成比例电路及该与绝对温度互补电路共享至少一个公共金属氧化物半导体场效晶体管，且回应于该经调整的电流输入而共同产生该参考电压，该与绝对温度成比例电路用以随着温度的一升高而产生该参考电压的幅度的一增大，该与绝对温度互补电路用以随着温度的该升高而产生该参考电压的幅度的一减小，其中由该与绝对温度成比例电路产生的该参考电压的幅度的该增大至少部分地被由该与绝对温度互补电路产生的该参考电压的幅度的该减小所抵消。5.如权利要求4所述的电压参考电路，其特征在于，进一步包含：一电流偏置电路，产生一参考电流；及一电流镜电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：昆杜，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：