半导体元件及其制造方法与静电放电保护装置制造方法及图纸

一种半导体元件及其制造方法与静电放电保护装置，半导体元件包含P掺杂井具有在基材中的第一浓度的P型掺质；P掺杂区具有在基材中的第二浓度的P型掺质，且延伸围绕P掺杂井的周缘；浅沟渠隔离结构(STI)位于P掺杂井与P掺杂区之间；主动区位于基材上，主动区包含射极区及集极区；深沟渠隔离结构(DTI)延伸穿过主动区且位于射极区与集极区之间；以及电性连接位于射极区与P掺杂区之间。于射极区与P掺杂区之间。于射极区与P掺杂区之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制造方法与静电放电保护装置


[0001]本揭露的实施方式是关于半导体元件及其制造方法与静电放电保护装置。

技术介绍

[0002]半导体元件中的静电放电(ESD)具有对半导体元件造成损害并降低这样的元件的功能，或使元件完全停止作用的可能性。介电崩溃与电迁移为对半导体元件的静电放电损害的常见失效模式。在制造制程期间减少对半导体元件的静电放电损害，可增加制造良率，并为半导体元件提供更有弹性的制造条件。

技术实现思路

[0003]本揭露的态样是关于一种半导体元件，其包含基材；在基材中具有第一浓度的P型掺质的P掺杂井；在基材中具有第二浓度的P型掺质且延伸围绕P掺杂井的周缘的P掺杂区；位于P掺杂井与P掺杂区之间的浅沟渠隔离结构；位于基材上且包含射极区与集极区的主动区；延伸穿过主动区且位于射极区与集极区之间的深沟渠隔离结构；以及位于射极区与P掺杂区之间的电性连接。
[0004]本揭露的态样是关于一种静电放电保护装置，其包含位于基材上的主动区；位于主动区中的射极区；位于主动区中的集极区；以及位于射极区与集极区之间的深沟渠隔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含：一基材；一P掺杂井，具有在该基材中的一第一浓度的P型掺质；一P掺杂区，具有在该基材中的一第二浓度的P型掺质，且延伸围绕该P掺杂井的一周缘；一浅沟渠隔离结构，位于该P掺杂井与该P掺杂区之间；一主动区，位于该基材上，且包含一射极区与一集极区；一深沟渠隔离结构，延伸穿过该主动区且位于该射极区与该集极区之间；以及一电性连接，位于该射极区与该P掺杂区之间。2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，在该基材中的P型掺质的该第二浓度大于该基材中的P型掺质的该第一浓度。3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该半导体元件还包含：一第一栅极结构，延伸于邻近该集极区的该基材之上；以及一第二栅极结构，延伸于邻近该射极区的该基材之上，其中该第一栅极结构与该第二栅极结构沿该主动区的一长尺寸的一长度等于该深沟渠结构沿该主动区的该长尺寸的一长度。4.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，该半导体元件还包含：一第一间隙壁，沿该第一栅极结构的一侧壁；一第二间隙壁，沿该第二栅极结构的一侧壁；以及一第三间隙壁，沿该深沟渠隔离结构的一上部分的一侧壁。5.一种静电放电保护装置，其特征在于，该静电放电保护装置包含：一主动区，位于一基材上；一射极区，位于该主动区中；一集极区，位于该主动区中；一深沟渠隔离结构，位于该射极区与该集极区之间，其中该射极区的一第一侧接触该深沟渠隔离结构的一第一侧，其中该集极区的一第一侧接触该深沟渠隔离结...

【专利技术属性】
技术研发人员：江子豪，林文傑，李介文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：