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一种半导体元件及其制造方法与静电放电保护装置，半导体元件包含P掺杂井具有在基材中的第一浓度的P型掺质；P掺杂区具有在基材中的第二浓度的P型掺质，且延伸围绕P掺杂井的周缘；浅沟渠隔离结构(STI)位于P掺杂井与P掺杂区之间；主动区位于基材上，...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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