【技术实现步骤摘要】
半导体装置，记忆体装置及其制造方法
[0001]本揭露有关于半导体装置、记忆体装置及其制造方法。
技术介绍
[0002]由于各种电子组件(如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高来自于最小特征尺寸的反复减小，这允许更多的组件整合至给定面积中。
技术实现思路
[0003]在本揭露的一态样中，揭示了一种半导体装置。该半导体装置包括沿垂直方向延伸的第一导电结构及沿垂直方向延伸的第二导电结构。第二导电结构沿一侧向与第一导电结构间隔开。该半导体装置进一步包含多个第三导电结构，各个第三导电结构沿该侧向延伸。多个第三导电结构跨第一导电结构及第二导电结构设置。第一导电结构及第二导电结构各个具有沿该侧向的变化宽度。根据第一导电结构及第二导电结构的变化宽度，多个第三导电结构具有各别不同的厚度。
[0004]在本揭露的另一态样中，揭示了一种记忆体装置。该记忆体装置包括沿垂直方向延伸的第一位元/源极线及沿垂直方向延伸的第二位元/源极线。记忆体装置进一步包...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：沿一垂直方向延伸的一第一导电结构；沿该垂直方向延伸的一第二导电结构，其中该第二导电结构沿一侧向与该第一导电结构间隔开；以及多个第三导电结构，各个第三导电结构沿该侧向延伸，其中该些第三导电结构跨该第一导电结构及该第二导电结构设置；其中该第一导电结构及该第二导电结构各个具有沿该侧向的一变化宽度；以及其中根据该第一导电结构及该第二导电结构的该变化宽度，该些第三导电结构具有个别不同的厚度。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含：沿该垂直方向延伸且与该第一导电结构及该第二导电结构接触的一半导体通道；以及沿该垂直方向延伸且插入该半导体通道与该些第三导电结构之间的一记忆体膜。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该第一导电结构及该第二导电结构分别与该半导体通道的一侧壁的多个末端部分接触。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该可变宽度随着该第一导电结构及该第二导电结构的一递增高度而递增，而该些第三导电结构的该厚度自该些第三导电结构中的一最底一者至该些第三导电结构中的一最顶一者递减。5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，随着该第一导电结构及该第二导电结构一递增高度，该变化宽度具有递增的一第一部分及递减的一第二部分，而该些第三导电结构的该些厚度自该些第三导电结构中的一最底一者至该些第三导电结构中的一中间一者递减，且自该些第三导电结构中的该中间一者至该些第三导电结构中的一最顶一者递增。6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，随着该第一导电结构及该第二导电结构的一递增高度，该变化宽度具有递减的一第一部分及递增的一第二部分，而该些第三导电结构的该些厚度自该些第三导电结构中的一最底一者至该些第三导电结构中的一中间一者递增，且自该些第三导电结构中的该中间一者至该些第三导电结构中的一最顶一者递减。7.一种记忆体装置，其特征在于，包含：沿一垂直方向延伸的一第一位元/源极线；沿该垂直方向延伸的一第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘朋骏，郑雅云，刘逸青，林孟汉，黄家恩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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