清洁极紫外线遮罩的系统和方法技术方案

一种清洁极紫外线遮罩的系统和方法，极紫外线微影系统清洁EUV光罩上的碎屑。该系统包括用以邻近EUV光罩定位的清洁电极。该系统包括电压源，该电压源通过向清洁电极施加交替极性的电压来帮助将碎屑自EUV光罩吸向清洁电极。极。极。

【技术实现步骤摘要】
清洁极紫外线遮罩的系统和方法


[0001]本揭露关于一种清洁极紫外线遮罩的系统和方法。

技术介绍

[0002]对提高电子装置(包括智能手机、平板计算机、桌上型计算机、膝上型计算机及许多其他类型的电子装置)的计算能力的需求不断增长。集成电路为这些电子装置提供计算能力。提高集成电路的计算能力的一种方法为增加给定面积的半导体基板中晶体管及其他集成电路特征的数量。
[0003]集成电路中的特征部分是在微影术的帮助下产生的。传统微影技术包括产生遮罩，该遮罩勾勒出待形成于集成电路晶粒上的特征的形状。微影光源经由遮罩照射集成电路晶粒。可由集成电路晶粒的微影术产生的特征的尺寸在下端部分地受到微影光源产生的光的波长的限制。较小波长的光可以产生较小的特征尺寸。
[0004]由于极紫外(extreme ultraviolet，EUV)光的波长相对较短，因此使用EUV光来产生特别小的特征。例如，EUV光通常通过用激光束照射选定材料的液滴来产生。来自激光束的能量使液滴进入电浆状态。在电浆状态下，液滴发出EUV光。EUV光射向具有椭圆或抛物线表面的收集器。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洁极紫外线遮罩的方法，其特征在于，包含以下步骤：将一清洁电极定位于一微影光罩的一曝光面附近；向该清洁电极施加具有一第一极性的一电压；及将该电压自该第一极性切换至与该第一极性相反的一第二极性。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：当施加该电压时，将一第一膜定位在该清洁电极与该曝光面之间。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：当该电压处于该第一极性时，将该第二极性的多个带电碎屑颗粒自该曝光面吸向该第一膜。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：当该电压处于该第二极性时，将该第一极性的多个带电碎屑颗粒自该曝光面吸向该第一膜。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：移除该清洁电极与该曝光面之间的该第一膜；将一第二膜定位在该清洁电极与该曝光面之间；在将该第二膜定位在该清洁电极与该曝光面之间后，向该清洁电极施加具有该第一极性的该电压；及在将该第二膜定位在该清洁电极与该曝光面之间后，将该电压自该第一极性切换至第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李彦慧，叶承翰，傅中其，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：