制造半导体元件的方法技术

一种制造半导体元件的方法包括提供一第一基板且在该第一基板上形成一抗蚀剂层。在一些实施例中，该方法进一步包括对该抗蚀剂层执行一曝光制程。该曝光制程包括使该抗蚀剂层经由一介入遮罩曝光于一辐射源。在一些实例中，该介入遮罩包括一第二基板、形成于该第二基板上的一多层结构、形成于该多层结构上的一覆盖层，及安置于该覆盖层上的一吸收体层。在一些实施例中，该吸收体层包括一第一主图案区域及与该第一主图案区域隔开一定距离的一开口区域。在各种实例中，该方法进一步包括在执行该曝光制程之后，对该经曝光抗蚀剂层进行显影以形成一经图案化抗蚀剂层。形成一经图案化抗蚀剂层。形成一经图案化抗蚀剂层。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体元件的方法


[0001]本揭露是有关于一种制造半导体元件的方法。

技术介绍

[0002]电子行业对较小且较快的电子装置的需求不断增长，这些电子装置同时能够支援数目愈加大的愈加复杂且精密的功能。因此，半导体工业中存在制造低成本、高效能及低功率的集成电路(integrated circuit；IC)的持续趋势。迄今为止，通过缩小半导体IC的尺寸(例如，最小特征大小)且由此提高生产效率且降低相关联成本，在很大程度上已经达成这些目标。然而，此类缩放亦已对半导体制造制程引入增大的复杂性。因此，实现半导体IC及装置的持续发展要求在半导体制造制程及技术上有类似的发展。
[0003]仅作为一个实例，半导体光微影制程可使用光微影模板(例如，光遮罩或光罩)来将图案光学转印至基板上。可例如通过将辐射源经由介入光遮罩或光罩投射至具有光敏材料(例如，光阻)涂层的基板上来完成此过程。可通过此种光微影制程经图案化最小特征大小受到投射辐射源的波长的限制。鉴于此，已经引入包括EUV光遮罩(“遮罩”)的极紫外(extreme ultraviolet；EUV)辐射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：提供一第一基板；在该第一基板上形成一抗蚀剂层；对该抗蚀剂层执行一曝光制程，其中该曝光制程包括经由一介入遮罩将该抗蚀剂层曝光于一辐射源，且其中该介入遮罩包括：一第二基板；一多层结构，其形成于该第二基板上；一覆盖层，其形成于该多层结构上；以及一吸收体层，其安置于该覆盖层上；其中该吸收体层包括一第一主图案区域及与该第一主图案区域间隔开的一开口区域；以及在执行该曝光制程之后，对该经曝光抗蚀剂层进行显影以形成一经图案化抗蚀剂层。2.根据权利要求1所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，该吸收体层包括一氧化钽硼层、一氮化钽硼层、一氧化钽硼/氮化钽硼层、一氮化钽层或一氮氧化钽硼层。3.根据权利要求1所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，该吸收体层包括与该开口区域隔开该距离的一第二主图案区域，其中该第一主图案区域安置于该开口区域的一第一侧上，且其中该第二主图案区域安置于该主图案区域的与该第一侧相对的一第二侧上。4.根据权利要求1所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，该第一主图案区域界定对应于一半导体元件或一电路的特征。5.根据权利要求1所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，该吸收体层包括具有至少一个开口的另一开口区域，且其中该另一开口区域与该第一主图案区域间隔开该距离。6.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：在一半导体基板上沉积一第一材料层，其中该第一材料层包括一硬式遮罩；在...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖啟宏，施柏铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：