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一种制造半导体元件的方法包括提供一第一基板且在该第一基板上形成一抗蚀剂层。在一些实施例中，该方法进一步包括对该抗蚀剂层执行一曝光制程。该曝光制程包括使该抗蚀剂层经由一介入遮罩曝光于一辐射源。在一些实例中，该介入遮罩包括一第二基板、形成于该第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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