【技术实现步骤摘要】
光掩模坯料、光掩模的制造方法以及光掩模
[0001]本专利技术涉及在半导体器件等的制造中所使用的光掩模坯料、使用该坯料的光掩模的制造方法及光掩模。
技术介绍
[0002]本申请主张以2019年12月5日申请的特愿2019-220060为优先权，并将其内容全部援引至本申请。
[0003]近年来，随着半导体器件的微细化，特别是大规模集成电路的高集成化，业内普遍要求投影曝光具有高图案分辨率。因此，在光掩模中，作为提高转印图案分辨率的方法，开发了相移掩模(phase shift mask)。相移法的原理是，通过调整为使通过光掩模的开口部的透射光的相位相对于通过与开口部相邻的部分的透射光的相位反转约180度，从而在透射光相互干涉时减弱边界部的光强度，其结果是，提高了转印图案的分辨率和焦点深度。另外，使用了该原理的光掩模统称为相移掩模。
[0004]相移掩模中使用的相移掩模坯料最一般的结构就是在玻璃基板等透明基板上层叠相移膜，并在相移膜上层叠含有铬(Cr)的膜。相移膜相对于曝光光线，其相位差通常为175～185度，透射率...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光掩模坯料，其特征在于，包括：基板；由含有铬的材料构成的膜；以及被加工膜，被配置在由上述含有铬的材料构成的膜与上述基板之间，并预定使用由上述含有铬的材料构成的膜的图案作为蚀刻掩模进行加工，其中，由上述含有铬材料构成的膜从远离上述基板的一侧起具有第1层、第2层、第3层以及第4层，上述第1层、第2层、第3层以及第4层均含有铬、氧、氮以及碳中的3种以上(含)的元素，上述第1层中的铬含有率为40原子％以下(含)、氧含有率为38原子％以上(含)，氮含有率为22原子％以下(含)、且厚度为6nm以下(含)，上述第2层中的铬含有率为38原子％以下(含)、氧含有率为30原子％以上(含)，氮含有量为18原子％以下(含)、碳为14原子％以下(含)、且膜厚为22nm以上(含)且32nm以下(含)，上述第3层中的铬含有率为50原子％以下(含)、氧含有率为30原子％以下(含)，氮含有量为20原子％以上(含)、且膜厚为6nm以下(含)，上述第4层中的铬含有率为44原子％以下(含)、氧含有率为20原子％以上(含)、氮含有量为20原子％以下(含)、碳为16原子％以下(含)、且膜厚为13nm以上(含)。2.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其特征在于：其中，上述被加工膜是由含有硅的材料构成的膜。3.根据权利要求2所述的光掩模坯料，其特征在于：其中，上述由含有铬的材料构成的膜为遮光膜，上述由含有硅材的料构成的膜为相移膜，所述光掩模坯料是将上述遮光膜与上述相移膜重合后的，相对于曝光光线的光学浓度在3以上(含)的相移掩模坯料。4.根据权利要求3所述的光掩模坯料，其特征在于：其中，上述由含有铬的材料构成的膜的膜厚为39nm以上(含)94nm以下(含)。5.根据权利要求3或4所述的光掩模坯料，其特征在于：其中，上述相移膜相对于曝光光线的相位差为175度以上(含)185度以下(含)，透射率为6％以上(含)30％以下(含)，膜厚为60nm以上(含)85nm以下(含)。6.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其特征在于：其中，上述被加工膜中具有由含有钽的材料构成的膜。7.根据权利要求6所述的光掩模坯料，其特征在于：其中，上述由含有钽的材料构成的膜是相对于极端紫外线区域光的吸收膜，上述被加工膜中具有被配置在上述吸收膜与上述基板之间的，相对于极端紫外线区域光的反射膜，所述光掩模坯料为反射型掩模坯料。8.根据权利要求1或2所述的光掩模坯料，其特征在于，进一步包括：抗蚀剂膜，被配置在上述由含有铬的材料构成的膜的远离上述基板的一侧且膜厚为50nm以上(含)200nm以下(含)。9.一种光掩模的制造方法，由权利要求2所述的光掩模坯料来制造光掩模，所述光掩模
具有由含有硅的材料构成的膜的电路图案，其特征在于，包括：在上述由含有铬的材料构成的膜的远离上述基板的一侧形成抗蚀剂膜的工序(A)；在对上述抗蚀剂膜进行图...
【专利技术属性】
技术研发人员：松桥直树，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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