低发射植入掩模及衬底组件制造技术

一种衬底组件可包括：衬底基底；以及低发射植入掩模，设置在所述衬底基底上。低发射植入掩模可包含含碳材料，所述含碳材料包括由

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低发射植入掩模及衬底组件


[0001]本公开大体来说涉及离子植入，且更具体来说，涉及用于高能离子植入的植入掩模(implant mask)。

技术介绍

[0002]离子植入是通过轰击将掺杂剂或杂质引入衬底的工艺。离子植入系统可包括离子源及一系列束线部件。离子源可包括产生离子的室。离子源还可包括电源及靠近室设置的提取电极组件。束线部件可包括例如质量分析器、第一加速或减速级、准直器及第二加速或减速级。与一系列用于操纵光束的光学透镜非常类似，束线部件可对具有特定种类、形状、能量和/或其他品质的离子或离子束进行过滤、聚焦及操纵。离子束穿过束线部件，并且可被朝安装在压板(platen)或夹具(clamp)上的衬底引导。
[0003]能够产生大约1MeV或大于1MeV的离子能量的植入设备常常被称为高能离子植入器或高能离子植入系统。一种类型的高能离子植入器采用所谓的串联加速架构，其中离子通过第一列被加速到高能量，经历电荷交换以改变极性，且然后被加速到第二能量，所述第二能量在第二列中大约是第一能量的两倍。另一种类型的高能离子植入器被称为线性加速器(或L本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种衬底组件，包括：衬底基底；以及低发射植入掩模，设置在所述衬底基底上，所述低发射植入掩模包含含碳材料，所述含碳材料包括由
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C碳同位素前体形成的同位素纯化的碳。2.根据权利要求1所述的衬底组件，所述低发射植入掩模的特征在于
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C碳同位素浓度小于0.5％。3.根据权利要求1所述的衬底组件，所述低发射植入掩模的特征在于
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C碳同位素浓度小于0.1％。4.根据权利要求1所述的衬底组件，所述低发射植入掩模包括由同位素纯化的
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C形成的外层、以及在所述外层下方的由同位素不纯碳形成的下层。5.根据权利要求1所述的衬底组件，所述低发射植入掩模包括至少10μm的厚度。6.根据权利要求4所述的衬底组件，所述外层包括至少10μm的厚度。7.根据权利要求1所述的衬底组件，所述低发射植入掩模包含光刻胶材料或硬掩模材料。8.一种低发射植入掩模，包括：光刻胶层，具有厚度为10μm或大于10μm的层，其中所述光刻胶层包含由
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C碳同位素前体形成的同位素纯化的碳。9.根据权利要求8所述的低发射植入掩模，所述光刻胶层的特征在于
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C碳同位素浓度小于0.5％。10.根据权利要求8所述的低发射植入掩模，所述光刻胶层的特征在于
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C碳同位素浓度小于0.1％。11.根据权利要求8所述的低发射植入掩模，所述光刻胶层包括由同位素纯化的
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C形成的外层、以及在所述外层下...

【专利技术属性】
技术研发人员：法兰克，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：