EUV光掩模及其制造方法技术

本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底、设置在衬底之上的反射多层、设置在反射多层之上的帽盖层、设置在帽盖层之上的中间层、设置在中间层之上的吸收体层、以及设置在吸收体层之上的覆盖层。吸收体层包括一层或多层Ir基材料、Pt基材料或Ru基材料。料。料。

【技术实现步骤摘要】
EUV光掩模及其制造方法


[0001]本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。

技术介绍

[0002]光刻操作是半导体制造工艺中的关键操作之一。光刻技术包括紫外光 刻、深紫外光刻和极紫外光刻(EUVL)。光掩模是光刻操作中的重要组 件。制造包括高反射率部分和高吸收率部分的具有高对比度的EUV光掩模 至关重要。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个实施例，提供了一种制造反射掩模的方法，包括： 在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层，所述掩模坯包括：衬底、设置在所述衬 底之上的反射多层、设置在所述反射多层之上的帽盖层、设置在所述帽盖 层之上的中间层、设置在所述中间层之上的吸收体层、设置在所述吸收体 层之上的覆盖层、以及设置在所述覆盖层之上的硬掩模层；图案化所述光 致抗蚀剂层；通过使用经图案化的光致抗蚀剂层来图案化所述硬掩模层； 通过使用经图案化的硬掩模层来图案化所述覆盖层和所述吸收体层以形成 开口；以及去除所述硬掩模层，其中，所述吸收体层包括A
x
B
y
，其中，A 和B分别是Ir、Pt、Ru、Cr、Ta、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造反射掩模的方法，所述方法包括：在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层，所述掩模坯包括：衬底、设置在所述衬底之上的反射多层、设置在所述反射多层之上的帽盖层、设置在所述帽盖层之上的中间层、设置在所述中间层之上的吸收体层、设置在所述吸收体层之上的覆盖层、以及设置在所述覆盖层之上的硬掩模层；图案化所述光致抗蚀剂层；通过使用经图案化的光致抗蚀剂层来图案化所述硬掩模层；通过使用经图案化的硬掩模层来图案化所述覆盖层和所述吸收体层以形成开口；以及去除所述硬掩模层，其中，所述吸收体层包括A
x
B
y
，其中，A和B分别是Ir、Pt、Ru、Cr、Ta、Os、Pd、Al或Re中的一种或多种，并且x:y为0.25:1至4:1。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中间层在图案化所述吸收体层时用作蚀刻停止层。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述覆盖层由与所述中间层相同的材料制成。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述吸收体层包括由彼此不同的材料制成的两个层。5.一种制造反射掩模的方法，所述方法包括：在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层，所述掩模坯包括：衬底、设置在所述衬底之上的反射多层、设置在所述反射多层之上的阻挡层、设置在所述阻挡层之上的帽盖层、设置在所述帽盖层之上的中间层、设置在所述中间层之上的吸收体层、设置在所述吸收体层之上的覆盖层、以及设置在所述覆盖层之上的硬掩模层；图案化所述光致抗蚀剂层；通过使用经图案化的光致抗蚀剂层来图案化所述硬掩模层；通过使用经图案化的硬掩模层来...

【专利技术属性】
技术研发人员：林云跃，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：