温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底、设置在衬底之上的反射多层、设置在反射多层之上的帽盖层、设置在帽盖层之上的中间层、设置在中间层之上的吸收体层、以及设置在吸收体层之上的覆盖层。吸收体层包括一层或多层Ir基材料、Pt基...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。