制造极紫外（EUV）光掩模的方法及校正EUV光掩模的方法和装置制造方法及图纸

提供了一种方法。所述方法包括：制备掩模坯，掩模坯包括基板、设置在基板上用于反射极紫外光的反射层以及设置在反射层上的光吸收层；通过从光吸收层形成具有目标临界尺寸的多个图案元素来提供光掩模，其中所述多个图案元素包括待校正的校正目标图案元素，并且校正目标图案元素具有不同于目标临界尺寸的临界尺寸；识别光掩模的设置有校正目标图案元素的校正目标区域；将蚀刻剂施加于光掩模；以及在蚀刻剂被提供在光掩模上的同时，将激光束照射到校正目标区域。校正目标区域。校正目标区域。

【技术实现步骤摘要】
制造极紫外(EUV)光掩模的方法及校正EUV光掩模的方法和装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年10月14日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
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2020
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0132574的优先权，并在此通过参考引入其全部公开的内容。


[0003]与示例实施例一致的装置、方法和系统涉及制造极紫外(EUV)光掩模，更具体地，涉及一种用于局部校正EUV光掩模的临界尺寸的方法和装置、一种制造光掩模的方法以及一种使用其制造半导体器件的方法。

技术介绍

[0004]随着半导体器件的集成化和小型化的增加，需要一种用于配置具有更小尺寸的半导体器件的电路图案的技术。为了满足其技术需求，光刻工艺中使用的光源的波长已经减小。
[0005]最近，已经提出了使用EUV作为光源的EUV光刻。由于大部分EUV被折射光学材料吸收，因此一般的EUV光刻工艺可以使用包括反射光学系统而非折射光学系统的EUV光掩模。

技术实现思路

[0006]一个或多个示例实施例提供一种制造EU本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：制备掩模坯，所述掩模坯包括基板、设置在所述基板上用于反射极紫外光的反射层、以及设置在所述反射层上的光吸收层；通过从所述光吸收层形成具有目标临界尺寸的多个图案元素来提供光掩模，其中所述多个图案元素包括待校正的校正目标图案元素，并且所述校正目标图案元素具有不同于所述目标临界尺寸的临界尺寸；识别所述光掩模的设置有所述校正目标图案元素的校正目标区域；将蚀刻剂施加于所述光掩模；以及在所述蚀刻剂被提供在所述光掩模上的同时，将激光束照射到所述校正目标区域。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述激光束具有不被所述蚀刻剂吸收的波长。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述激光束的波长在200nm与700nm之间。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述激光束选自由KrF、XeCl、ArF、KrCl、Ar、YAG和CO2激光束构成的组。5.根据权利要求1所述的方法，其中，将激光束照射到所述校正目标区域包括：部分地蚀刻所述校正目标图案元素以减少所述校正目标图案元素的临界尺寸与所述目标临界尺寸的偏差。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述校正目标图案元素的宽度大于所述目标临界尺寸的宽度。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻剂包括氨水(NH4OH)和四甲基氢氧化铵(TMAH)中的任意一种或任意组合。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述校正目标区域包括多个校正目标区域，以及其中，将激光束照射到所述校正目标区域包括：将所述激光束照射到所述多个校正目标区域中的一个校正目标区域，将所述激光束照射的位置移动到所述多个校正目标区域中的另一个校正目标区域，以及将所述激光束照射到所述另一个校正目标区域。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩模坯还包括设置在所述反射层和所述光吸收层之间的覆盖层。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述反射层包括交替堆叠的硅膜和金属膜。11.一种方法，包括：制备掩模坯，所述掩模坯包括基板、设置在所述基板上用于反射极紫外光的反射层、以及设置在所述反射层上的光吸收层；通过从所述光吸收层形成具有第一宽度的多个图案元素来提供光掩模，其中所述多个图案元素包括待校正的校正目标图案元素，并且所述校正目标图案元素具有大于所述第一宽度的第二宽度；识别所述光掩模的设置有所述校正目标图案元素的校正目标区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴钟根，朴相昱，曹敬千，朴钟主，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：