形成半导体装置的方法制造方法及图纸

本文提到一种形成半导体装置的方法中所描述的多个双重图案化技术可以减少在一像素阵列中形成一深沟槽隔离(DTI)结构期间可能会以其他方式出现的拐角圆化、蚀刻负载及/或多个其他缺陷。该些双重图案化技术包含在多个图案化操作中在一第一方向上形成一第一沟槽集合及在一第二方向上形成一第二沟槽集合，以使得最小蚀刻负载及/或拐角圆化至无蚀刻负载及/或拐角圆化存在于该第一沟槽集合及该第二沟槽集合的该些相交处及/或附近。沟槽集合的该些相交处及/或附近。沟槽集合的该些相交处及/或附近。

【技术实现步骤摘要】
形成半导体装置的方法


[0001]本揭露关于一种形成半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]数字相机及其他光学成像装置采用影像感测器。影像感测器将光学影像转换为可以表示为数字影像的数字数据。影像感测器包含像素感测器阵列及支持逻辑。阵列的像素感测器为用于量测入射光的单元装置，且支持逻辑促进量测值的读出。光学成像装置中常用的一种类型的影像感测器为背照式(backside illumination，BSI)影像感测器。BSI影像感测器制造可以整合至半导体制程中，以实现低成本、小的大小及高整合度。另外，BSI影像感测器可以具有低操作电压、低功耗、高量子效率及低读出噪声，且可以允许随机访问。

技术实现思路

[0003]根据本揭露的一些实施例中，一种形成半导体装置的方法包括以下步骤。在一基板上方的一第一光阻剂层中形成一第一图案；基于该第一图案蚀刻该基板以在该基板内在一第一方向上形成一第一沟槽集合；在蚀刻该基板以形成该第一沟槽集合之后去除该第一光阻剂层；在去除该第一光阻剂层之后，在该基板上方形成一第二光阻剂层；在该第二光阻剂层中形成一第二图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括以下步骤：在一基板上方的一第一光阻剂层中形成一第一图案；基于该第一图案蚀刻该基板以在该基板内在一第一方向上形成一第一沟槽集合；在蚀刻该基板以形成该第一沟槽集合之后去除该第一光阻剂层；在去除该第一光阻剂层之后，在该基板上方形成一第二光阻剂层；在该第二光阻剂层中形成一第二图案；及基于该第二图案蚀刻该基板以在该基板内在一第二方向上形成一第二沟槽集合。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：填充该第一沟槽集合及该第二沟槽集合以形成一像素阵列的一深沟槽隔离结构。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：形成用于该像素阵列的多个像素感测器的多个光电二极管；及其中该第一沟槽集合及该第二沟槽集合形成在该些光电二极管之间。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：在该基板上方形成一抗反射涂层；及在该抗反射涂层上方形成该第一光阻剂层。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一方向及该第二方向近似垂直，以使得该第一沟槽集合及该第二沟槽集合在该基板中的多个地点处相交。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：在蚀刻该基板以形成该第二沟槽集合之前用一阻挡材料填充该第一沟槽集合。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：在蚀刻该基板以形成该第二沟槽集合之后自该第一沟槽集合去除该阻挡材料；以及在蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱威超，陈裕文，刘永进，张浚威，郭景森，许峰嘉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：