图像感测装置制造方法及图纸

本公开涉及一种图像感测装置，该图像感测装置可以包括：基础基板；像素阵列和布置在像素阵列的第一表面外部的区域中的保护环区域，像素阵列由基础基板支撑并且被构造为包括响应于光而产生像素信号的多个图像感测像素；多个第一导电类型隔离层，多个第一导电类型隔离层从保护环区域的第一表面到基础基板中的第一深度形成在基础基板中；至少一个第二导电类型隔离层，其从保护环区域的第一表面到基础基板中的第二深度形成在基础基板中，并且被放置在第一导电类型隔离层之间；以及第一隔离层，其从保护环区域的第二表面到基础基板中的第三深度形成在基础基板中，第一隔离层延伸到彼此相邻的第一导电类型隔离层和第二导电类型隔离层。隔离层。隔离层。

【技术实现步骤摘要】
图像感测装置


[0001]本专利文档中公开的技术和实现方式总体上涉及一种图像感测装置。

技术介绍

[0002]诸如CMOS图像传感器(CIS)的图像传感器的成像像素可以捕获光并将其转换为电信号。例如，成像像素将基于入射在光电二极管上的光子产生的电子引起的电位差转换为电信号。
[0003]成像像素可以彼此隔离。由每个隔离的成像像素检测到的光子可以被转换为电压，并且该电压被组合以表示图像。
[0004]近年来，CMOS图像传感器的分辨率的增大已经导致像素尺寸的减小。在这种趋势中，挑战之一是需要抑制相邻成像像素之间的光学串扰和电串扰。已经提出了许多像素隔离架构来抑制光学串扰和电串扰。

技术实现思路

[0005]本专利文档中公开的技术可以在各种实施方式中实现为提供一种可以减少像素阵列中的成像像素之间的串扰的图像感测装置。
[0006]在本公开的示例实施方式中，一种图像感测装置包括：基础基板；像素阵列和布置在像素阵列的第一表面外部的区域中的保护环区域，像素阵列由基础基板支撑并且被构造为包括响应于光而产生像素信号的多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：基础基板；像素阵列和保护环区域，所述像素阵列由所述基础基板支撑并且被构造为包括响应于光而产生像素信号的多个图像感测像素，所述保护环区域布置在所述像素阵列外部的区域中；多个第一导电类型隔离层，所述多个第一导电类型隔离层从所述保护环区域的第一表面到所述基础基板中的第一深度形成在所述基础基板中；至少一个第二导电类型隔离层，所述至少一个第二导电类型隔离层从所述保护环区域的所述第一表面到所述基础基板中的第二深度形成在所述基础基板中，并且被放置在所述第一导电类型隔离层之间；以及第一隔离层，所述第一隔离层从所述保护环区域的第二表面到所述基础基板中的第三深度形成在所述基础基板中，所述第一隔离层延伸到彼此相邻的所述第一导电类型隔离层和所述第二导电类型隔离层。2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一隔离层包括背侧深沟槽隔离BDTI。3.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一隔离层包括电绝缘材料。4.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一隔离层包括具有高介电常数的材料。5.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型隔离层包括P型隔离层，并且所述第二导电类型隔离层包括N型隔离层。6.根据权利要求5所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型隔离层和所述至少一个第二导电类型隔离层包括在远离所述像素阵列的方向上依次布置的第一P型隔离层、N型隔离层和第二P型隔离层，并且其中，所述第一隔离层延伸以使得所述第一隔离层的端部插入到所述第一P型隔离层和所述N型隔离层中或与所述第一P型隔离层和所述N型隔离层接触。7.根据权利要求5所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型隔离层和所述至少一个第二导电类型隔离层包括在远离所述像素阵列的方向上依次布置的第一P型隔离层、N型隔离层和第二P型隔离层，并且其中，所述第一隔离层延伸以使得所述第一隔离层的端部插入到所述第一P型隔离层、所述N型隔离层和所述第二P型隔离层中或与所述第一P型隔离层、所述N型隔离层和所述第二P型隔离层接触。8.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型隔离层包括N型隔离层，并且所述第二导电类型隔离层包括P型隔离层。9.根据权利要求8所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭坪水，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：