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本文提到一种形成半导体装置的方法中所描述的多个双重图案化技术可以减少在一像素阵列中形成一深沟槽隔离(DTI)结构期间可能会以其他方式出现的拐角圆化、蚀刻负载及/或多个其他缺陷。该些双重图案化技术包含在多个图案化操作中在一第一方向上形成一第一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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