光罩表层膜及其形成方法技术

本发明专利技术实施例涉及光罩表层膜及其形成方法。在衬底上方沉积第一覆盖层。在第一覆盖层上生长纳米线网络。在纳米线网络上沉积第二覆盖层。蚀刻衬底以形成表层膜的框。将第一覆盖层和第二覆盖层图案化以形成表层膜的薄膜，其中图案化使第一覆盖层和第二覆盖层的材料减少以在纳米线上形成涂层。少以在纳米线上形成涂层。少以在纳米线上形成涂层。

【技术实现步骤摘要】
光罩表层膜及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种光罩表层膜及其形成方法。

技术介绍

[0002]在先进的半导体技术中，半导体元件的尺寸持续变小，且渐趋复杂的线路布置使得集成电路(IC)的设计和制造更具挑战性，且所需成本更高。为了占用较小面积且以更低的功率消耗来追求更好的元件性能，已经研究了例如极紫外光(EUV)光刻工艺的先进光刻工艺技术，作为制造具有相对较小的线宽(例如10纳米或更小)的半导体元件的方法。在EUV光刻工艺期间，光罩组件中的光罩表层膜保护光罩免受颗粒污染。
[0003]尽管现有的光刻工艺技术已经得到改进，但是它们仍然不能满足许多方面的要求。例如，为了满足EUV光刻工艺的需要，光罩表层膜的坚固性和性能仍有待提高。

技术实现思路

[0004]根据本专利技术的实施例，一种制造半导体装置的方法包括：在衬底上沉积第一覆盖层；在所述第一覆盖层上生长纳米线网络；在所述纳米线网络上沉积第二覆盖层；蚀刻所述衬底以形成表层膜的框；及将所述第一覆盖层和所述第二覆盖层图案化以形成所述表层膜的薄膜，其中所述图案化减少所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，其包括：在衬底上沉积第一覆盖层；在所述第一覆盖层上生长纳米线网络；在所述纳米线网络上沉积第二覆盖层；蚀刻所述衬底以形成表层膜的框；及将所述第一覆盖层和所述第二覆盖层图案化以形成所述表层膜的薄膜，其中所述图案化使所述第一覆盖层和所述第二覆盖层的材料减少以在所述纳米线上形成涂层。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米线包括碳、硅化钼、氮化钼硅、碳化硼或氮化硼。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一覆盖层或所述第二覆盖层包括氮化硅、氧化硅、碳化硅、氮化锆或氧化锆。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在沉积所述第二覆盖层之前或在沉积所述第二覆盖层之后沉积导热层。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米线的直径与所述涂层的厚度的比率在大约1和大约10之间。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化在所述薄膜中形成多个间隙，并且将所述薄膜布置为锚定在所述框之...

【专利技术属性】
技术研发人员：林云跃，游振杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：