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本发明实施例涉及光罩表层膜及其形成方法。在衬底上方沉积第一覆盖层。在第一覆盖层上生长纳米线网络。在纳米线网络上沉积第二覆盖层。蚀刻衬底以形成表层膜的框。将第一覆盖层和第二覆盖层图案化以形成表层膜的薄膜,其中图案化使第一覆盖层和第二覆盖层的材...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明实施例涉及光罩表层膜及其形成方法。在衬底上方沉积第一覆盖层。在第一覆盖层上生长纳米线网络。在纳米线网络上沉积第二覆盖层。蚀刻衬底以形成表层膜的框。将第一覆盖层和第二覆盖层图案化以形成表层膜的薄膜,其中图案化使第一覆盖层和第二覆盖层的材...