图形失真的补偿方法及光刻曝光的方法技术

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种图形失真的补偿方法及光刻曝光的方法，图形失真为掩模上安装保护膜而引起，包括以下步骤：测量安装保护膜的掩模产生的第一图形特征；测量未安装保护膜的掩模产生的第二图形特征；基于第一图形特征、第二图形特征之间的差异建立图形失真模型；根据图形失真模型计算补偿量。本申请实施例可以自动对各种情况导致的误差进行补偿，并可以预测多种情况下的保护膜导致的图形失真，提高了图形失真补偿的准确性以及效率。效率。效率。

【技术实现步骤摘要】
图形失真的补偿方法及光刻曝光的方法


[0001]本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种图形失真的补偿方法及光刻曝光的方法。

技术介绍

[0002]光刻装置是将所需图案转移至基底上的一种装置。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，先将设计图案加工在模板上，如掩模(MASK或RETICLE)可用于产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(例如硅晶片)。一般地，单一的晶片将包含相继曝光的重复单元组成的整个网格。已知的光刻装置包括所谓步进器，通过将整个图案一次曝光基底上，已知的光刻装置还包括所谓扫描器，通过在投影光束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描所述图案，并同时沿与该方向同步扫描基底来进行曝光每个单元。
[0003]保护膜(PELLICLE)是一种薄而透明的膜，并通过框体附在掩模的铬边。保护膜及其框体保持在掩模的铬边附近的空间没有尘粒。这样使得诸如污垢和灰尘之类的异物颗粒不会粘附到掩模上。如果不存在保护膜，那么污染粒子将位于掩模的图案上且将使图案的部分模糊，由此阻碍了图案被本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图形失真的补偿方法，所述图形失真为掩模上安装保护膜而引起，其特征在于，包括以下步骤：测量安装所述保护膜的掩模产生的第一图形特征；测量未安装所述保护膜的掩模产生的第二图形特征；基于所述第一图形特征、第二图形特征之间的差异建立图形失真模型；根据所述图形失真模型计算补偿量。2.根据权利要求1所述的图形失真的补偿方法，其特征在于，还包括以下步骤：再次测量所述第一图形特征、所述第二图形特征，并使用再次测量出的所述第一图形特征、所述第二图形特征对所述图形失真模型进行校正。3.根据权利要求1所述的图形失真的补偿方法，其特征在于，还包括以下步骤：利用阿贝误差校正方法计算出向上扫描、向下扫描时所述保护膜的理论位置，基于所述保护膜的理论位置预测所述保护膜的位置偏移量。4.根据权利要求3所述的图形失真的补偿方法，其特征在于，预测所述保护膜的位置偏移量的步...

【专利技术属性】
技术研发人员：田范焕，梁时元，贺晓彬，刘金彪，杨涛，李亭亭，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：