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本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种图形失真的补偿方法及光刻曝光的方法，图形失真为掩模上安装保护膜而引起，包括以下步骤：测量安装保护膜的掩模产生的第一图形特征；测量未安装保护膜的掩模产生的第二图形特征；基于第一图形特征、第二图形特征之间的...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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