对晶片载具中的晶片进行检测与标绘的方法技术

一种方法包括产生朝工件载具的第一槽的第一辐射射束。第一辐射射束具有第一射束面积，第一射束面积大于或等于第一槽的开口的面积。所述方法还包括测量第一辐射射束的朝辐射传感器反射并照射在辐射传感器上的反射部分。所述方法还包括基于第一辐射射束的所测量的反射部分判断工件载具的第一槽是否正容纳有工件。工件。工件。

【技术实现步骤摘要】
对晶片载具中的晶片进行检测与标绘的方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种对晶片载具中的晶片进行检测与标绘的方法。

技术介绍

[0002]半导体装置制作是用于形成存在于日常电子装置中的集成电路的工艺。制作工艺是包括沉积、光刻及化学处理步骤的多步顺序，在所述步骤期间电子电路逐步地形成在晶片上。在多维集成芯片(例如，三维集成芯片(three dimensional integrated chip，3DIC))的制作工艺期间，可将晶片移动到在制作机械中的不同位点。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种检测方法，包括：产生朝工件载具的第一槽的第一辐射射束，其中第一辐射射束具有第一射束面积，第一射束面积大于或等于第一槽的开口的面积；测量第一辐射射束的朝辐射传感器反射并照射在辐射传感器上的反射部分；以及基于第一辐射射束的所测量的反射部分来判断工件载具的第一槽是否正容纳有工件。
[0004]本专利技术实施例提供一种检测方法，包括：使用辐射源产生朝工件载具的第一槽的第一辐射射束，其中第一辐射射束具有第一射束面积，第一射束本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种检测方法，包括：产生朝工件载具的第一槽的第一辐射射束，其中所述第一辐射射束具有第一射束面积，所述第一射束面积大于或等于所述第一槽的开口的面积；测量所述第一辐射射束的朝辐射传感器反射并照射在所述辐射传感器上的反射部分；以及基于所述第一辐射射束的所测量的所述反射部分来判断所述工件载具的所述第一槽是否正容纳有工件。2.根据权利要求1所述的检测方法，其中如果确定所述工件载具的所述第一槽正容纳有工件，则所述方法还包括：基于所述第一辐射射束的所测量的所述反射部分来确定所述工件在所述第一槽中的位置。3.根据权利要求1所述的检测方法，其中如果确定所述工件载具的所述第一槽未容纳有工件，则所述方法还包括：在所述工件载具的所述第一槽中放置工件。4.根据权利要求1所述的检测方法，其中所述第一射束面积跨越所述工件载具的所述第一槽及一个或多个额外的槽，且其中所述方法还包括：基于所述第一辐射射束的所测量的所述反射部分来判断所述一个或多个额外的槽中的每一个槽是否正容纳有工件。5.一种检测方法，包括：使用辐射源产生朝工件载具的第一槽的第一辐射射束，其中所述第一辐射射束具有第一射束面积，所述第一射束面积大于或等于所述第一槽的宽度与所述工件载具的邻近的槽之间的垂直距离的乘积；使用辐射传感器测量所述第一辐射射束的朝所述辐射传感器反射并照射在所述辐射传感器上的反射部分；使用传感器控制电路系统基于所述第一辐射射束的所测量的所述反射部分来判断所述工件载具的所述第一槽是否正容纳有工件；使用第一致动器沿着从所述工件载具下方延伸到所述工件载具上方的垂直轴线垂直地移动所述辐射源及所述辐射传感器；使用所述辐射源产生朝所述工件载具的第二槽的第二辐射射束，其中所述第二辐射射束具有第二射束面积，所述第二射束面积大于或等于所述第二槽的宽度与所述邻近的槽之间的所述垂直距离的乘积；使用所述辐射传感器测量所述第二辐射射束的朝所述辐射传感器反射并照射在所述辐射传感器上的反射部分；使用所述传感器控制电路系统基于所述第二辐射射束的所测量的所述反射部分来判断所述工件载具的所述第二槽是否正容纳有工件；以及使用所述传感器控制电路系统产生第一工件载具标绘图，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾李全，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：