半导体器件、图像传感器及其形成方法技术

提供了图像传感器及形成图像传感器的方法。根据本发明专利技术的半导体器件包括半导体层、设置在该半导体层中的多个金属隔离部件、设置在该多个金属隔离部件正上方的金属栅格以及设置在该金属栅格上方的多个微透镜部件。本申请的实施例还涉及半导体器件。的实施例还涉及半导体器件。的实施例还涉及半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件、图像传感器及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体器件、图像传感器及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)行业经历了指数式增长。IC材料和设计方面的技术进步已经产生了多代IC，其中每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。在IC的发展过程中，功能密度(即，每一个芯片区域中互连器件的数量)已经普遍增大，而几何尺寸(即，使用制造工艺可生产的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小工艺一般通过提高生产效率和降低相关成本带来效益。这种按比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂性。
[0003]诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)的图像传感器在现代消费电子产品中很常见。随着图像传感器的尺寸缩小以跟上不断增长的像素分辨率要求，一些现有的图像传感器结构可能无法提供足够的量子效率(QE)。因此，虽然现有的CMOS传感器通常足以满足其预期目的，但不是在所有方面都已令人满意。

技术实现思路

[0004]本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：半导体层；多个金属隔离部件，设置在所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：半导体层；多个金属隔离部件，设置在所述半导体层中；金属栅格，设置在所述多个金属隔离部件正上方并且与所述多个金属隔离部件接触；以及多个微透镜部件，设置在所述金属栅格上方。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个金属隔离部件部分延伸到所述半导体层中。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个金属隔离部件完全延伸穿过所述半导体层。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个金属隔离部件和所述金属栅格包括铝。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个金属隔离部件设置在设置在所述半导体层中的多个介电隔离部件上方。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个金属隔离部件至少部分延伸穿过设置在所述半导体层中的多个介电隔离部件。7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一介电层，设置在所述半导体层与所述多个金属隔离部件之间；第二介电层，设置在所述第一介电层与所述多个金属隔离部件之间；以及第三介电层，设置在所述第二介电层与所述多个金属隔离部件之间，其中，所述第一介电层的组成不同于所述第二介...

【专利技术属性】
技术研发人员：高敏峰，杨敦年，刘人诚，郭文昌，陈昇照，洪丰基，李昇展，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：