半导体器件及其制造方法技术

本公开提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括设置在衬底上方的热传递层、沟道材料层、栅极结构以及源极及漏极端子。沟道材料层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，且设置在热传递层上，其中第一表面与热传递层接触。栅极结构设置在沟道材料层上方。源极及漏极端子与沟道材料层接触且位于栅极结构的相对的两侧处。通过设于衬底与沟道材料层之间的热传递层的热传导，可以增强器件的散热能力而改善器件性能。件的散热能力而改善器件性能。件的散热能力而改善器件性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本专利技术的实施例是有关于一种半导体器件，以及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体器件的缩小的大小及高集成密度使得散热成为挑战。

技术实现思路

[0003]在一些实施例中，本公开的半导体器件包括第一热传递层、沟道材料层、栅极结构，以及源极及漏极端子。所述第一热传递层设置在衬底上方。所述沟道材料层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其中所述沟道材料层设置在所述第一热传递层上，所述第一表面与所述第一热传递层接触。所述栅极结构设置在所述沟道材料层上方。所述源极及漏极端子与所述沟道材料层接触，且位于所述栅极结构的相对的两侧处。
[0004]在其他实施例中，本公开的半导体器件包括热传递层、沟道层、栅极结构、栅极介电层，以及源极及漏极。所述热传递层的材料包含氮化硼。所述沟道层设置在所述热传递层上，其中所述沟道层的材料包含低维材料。所述栅极结构设置在所述沟道层上方。所述栅极介电层设置在所述栅极结构与所述沟道层之间。所述源极及漏极设置在所述栅极结构旁边，且接触所述沟道层。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于包括：第一热传递层，设置在衬底上方；沟道材料层，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其中所述沟道材料层设置在所述第一热传递层上，所述第一表面与所述第一热传递层接触；栅极结构，设置在所述沟道材料层上方；以及源极及漏极端子，与所述沟道材料层接触且位于所述栅极结构的相对的两侧处。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极及漏极端子位于所述第一热传递层上且穿透过所述沟道材料层。3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括第二热传递层，所述第二热传递层设置在所述沟道材料层上且与所述沟道材料层的所述第二表面接触，其中所述源极及漏极端子穿透过所述第二热传递层及所述沟道材料层。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极及漏极端子直接位于所述沟道材料层上。5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括第二热传递层，所述第二热传递层设置在所述沟道材料层上且与所述沟道材料层的所述第二表面接触，其中所述源极及漏极端子穿透过所述第二热传递层。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪以则，周昂升，江宏礼，陈自强，郑兆钦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：