半导体器件及其制造方法技术

本申请公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括在衬底之上的有源区域，该有源区域沿第一横向方向延伸。该半导体器件包括多个第一导电结构，可操作地耦合到有源区域。第一导电结构沿第二横向方向延伸。该半导体器件包括设置在多个第一导电结构之上的多个第二导电结构。第二导电结构沿第一横向方向延伸。该半导体器件包括具有第一电极和第二电极的第一电容器。第一电极包括第一导电结构之一和有源区域，并且第二电极包括第二导电结构中的第一个。有源区域和第一导电结构中的每一个电耦合到被配置为载送电源电压的电源轨结构。电耦合到被配置为载送电源电压的电源轨结构。电耦合到被配置为载送电源电压的电源轨结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]在某些集成电路的操作期间，供电线路可能供应具有相对高强度的瞬态电流。这些情况可能在供电线路上产生噪声。例如，当瞬态电流的过渡时间特别短或者线路的寄生电感或寄生电阻较大时，供电线路上的电压可能发生波动。为了改善这种情况，通常使用去耦电容器，其用作临时电荷储存器以防止电源电压的瞬时波动。

技术实现思路

[0003]根据本公开的第一方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底；有源区域，设置在所述衬底之上，其中，所述有源区域沿着第一横向方向延伸；多个第一导电结构，可操作地耦合到所述有源区域，其中，所述多个第一导电结构沿着垂直于所述第一横向方向的第二横向方向延伸；多个第二导电结构，设置在所述多个第一导电结构上方，其中，所述多个第二导电结构沿着所述第一横向方向延伸；以及第一电容器，具有第一电极和第二电极，其中，所述第一电极包括所述多个第一导电结构和所述有源区域中的一者，并且所述第二电极包括所述多个所述第二导电结构中的第一个第二导电结构；其中，所述有源区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：衬底；有源区域，设置在所述衬底之上，其中，所述有源区域沿着第一横向方向延伸；多个第一导电结构，可操作地耦合到所述有源区域，其中，所述多个第一导电结构沿着垂直于所述第一横向方向的第二横向方向延伸；多个第二导电结构，设置在所述多个第一导电结构上方，其中，所述多个第二导电结构沿着所述第一横向方向延伸；以及第一电容器，具有第一电极和第二电极，其中，所述第一电极包括所述多个第一导电结构和所述有源区域中的一者，并且所述第二电极包括所述多个所述第二导电结构中的第一个第二导电结构；其中，所述有源区域和所述多个第一导电结构中的每一者电耦合到被配置为载送电源电压的电源轨结构。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源区域包括从所述衬底突出的鳍结构。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源区域包括在竖直方向上彼此间隔开的多个纳米结构。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第一导电结构包括包围所述有源区域的一部分的金属栅极结构。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源区域包括多个外延半导体结构并且所述多个第一导电结构包括金属互连结构，并且其中，所述金属互连结构在竖直方向上被设置在所述多个外延半导体结构中的至少一个外延半导体结构之上并且电耦合到所述至少一个外延半导体结构。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电源轨结构在竖直方向上被设置在所述多个第二导电结构之上。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电源轨结构在竖直方向上被设置成与所述衬底处于所述有源区域的相反方向。8.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕宗庭，张志强，杨忠杰，彭永州，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：