集成电路制造技术

一种集成电路包括半导体衬底、在衬底正面上方的导电层、第一金属层级中的第一金属轨道、以及位于导电层与第一金属层级之间的金属前电介质区域。金属

【技术实现步骤摘要】
集成电路


[0001]实施例和实施方式涉及集成电路，并且具体地涉及集成电路的电容元件。

技术介绍

[0002]对电容元件的实施例的主要需求是每表面单位具有最高可能的电容值，被称为“表面容量”。
[0003]为了增加金属氧化物半导体(MOS)类型的电容结构的表面容量，已经提出通过填充竖直地深入延伸到半导体衬底中的沟槽来形成导电电极。
[0004]增加沟槽的深度允许增加表面容量，但这种方法一方面受到与沟槽的深度成正比的沟槽蚀刻时间的限制，另一方面用于蚀刻深沟槽的工具不一定在给定的生产线中被提供，并且将该工具集成到生产线中可能会带来巨大的成本。

技术实现思路

[0005]因此，期望根据不是很受限制并且与提供深度有限的蚀刻沟槽的集成电路生产链兼容的技术，来增加电容元件的表面容量。
[0006]根据一个方面，提供了一种集成电路，其包括：半导体衬底；导电层，在所述半导体衬底的正面上方；第一金属轨道，在第一金属层级中；金属前电介质区域，位于所述导电层与所述第一金属层级之间；以及至少一个金属
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路，其特征在于，包括：半导体衬底；导电层，在所述半导体衬底的正面上方；第一金属轨道，在第一金属层级中；金属前电介质区域，位于所述导电层与所述第一金属层级之间；以及至少一个金属
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绝缘体
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金属电容结构，位于在所述金属前电介质区域内的沟槽开口中，所述至少一个金属
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绝缘体
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金属电容结构包括：第一金属层，被配置成与所述导电层电连接，第二金属层，被配置成与所述第一金属轨道电连接，以及电介质层，在所述第一金属层与所述第二金属层之间。2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述导电层由多晶硅制成并且包括金属硅化物的层，并且其中所述第一金属层包括与所述金属硅化物的层化学结合的扩散屏障层。3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述至少金属
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绝缘体
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金属电容结构的所述第一金属层与所述沟槽的侧面和底部共形，其中所述电介质层与所述第一金属层的表面共形，并且其中所述第二金属层与所述电介质层的表面共形。4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包括在所述导电层与所述半导体衬底之间电绝缘的电介质界面，其中所述导电层和所述电介质界面被配置成与所述半导体衬底形成金属
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氧化物
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半导体类型的电容结构。5.根据权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述导电层包括覆盖所述半导体衬底的表面的水平部分，并且包括垂直于所述表面在深度上延伸到所述半导体衬底中的至少一个竖直部分。6.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，所述导电层的所述至少一个竖直部分具有的结构对应于埋入式存取晶体管的竖直栅极的结构，所述埋入式存取晶体管属于非易失性存储器的存储器单元。7.根据权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述导电层电连接到所述第一金属层级的第二金属轨道，并且其中所述半导体衬底电连接到所述第一金属层级的第三金属轨道，并且其中所述第二金属轨道和所述第三金属轨道彼此电连接。8.根据权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述导电层电连接到所述第一金属层级的第二金属轨道，并且其中所述半导体衬底电连接到所述第一金属层级的第三金属轨道，并且其中所述第二金属轨道和所述第三金属轨道电连接到所述第一金属轨道。9.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包括电阻导电条，所述电阻导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：新型
国别省市：