意法半导体鲁塞公司专利技术

意法半导体鲁塞公司共有461项专利

  • 本公开的实施例涉及物理不可克隆功能器件和方法。一种实施例系统包括物理不可克隆功能器件,其中该器件包括非易失性存储器单元的第一组件,每个非易失性存储器单元都具有被嵌入在半导体衬底中的选择晶体管以及具有电连接的控制栅极和浮置栅极的耗尽型状态...
  • 本公开的实施例涉及微电路卡。一种微电路卡,包括第一(通用)微控制器、第二(安全处理)微控制器、与卡的外部通信的至少一个模块以及生物测定传感器。向卡的外部的任何通信都通过第一微控制器传送。传感器与第二微控制器之间的任何通信都通过第一微控制...
  • 本公开的实施例涉及上电复位电路和对应的电子设备。一种实施例上电复位电路,具有接收电源电压的电源输入,生成复位信号,其值在电源电压超过POR检测电平时切换。上电复位电路具有:PTAT级,具有左支路和右支路,并且当电源电压达到POR检测电平...
  • 本公开的实施例涉及集成电容元件与对应的生产方法。一种集成电路,包括包含在半导体衬底中的第一半导体阱和包含在第一半导体阱中的第二半导体阱。一种用于集成电路的电容元件,包括第一电极和第二电极,其中第一电极包括至少一个竖直导电结构,填充竖直延...
  • 本公开的实施例涉及故障检测。本公开涉及一种通过电子电路在应用中对消息的第一功能进行故障检测的方法,包括:从消息生成非零偶数N个不同的第一集合,每个第一集合包括P个部份;将一个或多个第二功能应用于每个第一集合的P个部份,针对每个第一集合传...
  • 本公开的各实施例涉及电子设备。一种设备,包括:电流源、第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管连接在第一供电轨和输出端子之间,第二晶体管连接在输出端子和电流源的第一端子之间的第二晶体管,其中电流源的第二端子连接到第二供电轨。可变增益放大器电路...
  • 本公开涉及检测信号内至少一个数字模式的可能存在的方法和装置。根据一个实施例,一种被配置为检测信号内至少一个数字模式的存在的设备包括:分别具有Nj个存储器位置的J个存储器电路;以及处理电路系统,该处理电路系统包括累加器和检测器,该累加器被...
  • 本公开涉及将数据写入非接触应答器的存储器中的方法和应答器设备。非接触式应答器包括具有存储器点的非易失性静态随机存取存储器。每个存储器点由易失性存储器单元和非易失性存储器单元形成。协议处理电路接收数据并将接收到的数据储存在存储器的易失性存...
  • 本公开涉及集成电路。集成电路包括:半导体衬底;覆盖半导体衬底的绝缘层;覆盖绝缘层的第一导电类型的半导体层,半导体层包括纵向长度;覆盖半导体层、彼此间隔开的多个突起区域。多个突起区域中的每一个包括与半导体层的纵向长度相等的纵向长度。集成电...
  • 本公开的实施例公开了过电压保护。本公开涉及一种包括整流桥的设备,整流桥包括:一分支,连接在第一节点和第二节点之间;另一分支,包括串联连接在第一节点和第二节点之间并使其源极耦合在一起的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管;一电阻器,将第一晶...
  • 本公开的实施例涉及具有减小的回路延迟的串行数据接口。一种串行外围接口(SPI)设备包括:串行时钟(SCK)焊盘,接收串行时钟;第一施密特触发器和第二施密特触发器,直接电连接到SCK焊盘,以响应于串行时钟的上升沿和下降沿而选择性地分别生成...
  • 本公开涉及晶体管结构及其形成方法。一个实施例晶体管包括:由第一沟槽界定的半导体漏极区域、以及在第一沟槽中的第一导电元件,该第一导电元件被电耦合到电势的施加的节点,该电势更接近晶体管的漏极电势,而不是更接近晶体管的源极电势。
  • 物理不可克隆的功能器件(DIS)包括安装在二极管中的MOS晶体管(TR1i、TR2j)的集合,该器件具有相应的阈值电压的随机分布,并且包括N个第一晶体管以及至少一个第二晶体管。功能的至少一个输出节点是能够传递信号,信号的电平取决于使用在...
  • 本公开涉及用于近场通信设备的天线激活方法。第一电子设备包括第一近场通信天线和第二近场通信天线。第一电子设备的第一和第二近场通信天线被交替地激活。第一天线专用于支持在第一电子设备与第二电子设备之间的通信。第二天线专用于支持对第二电子设备的...
  • 本公开涉及EEPROM存储器设备和对应方法。电可擦除可编程只读存储器类型的存储器设备包括写入电路装置,写入电路装置被设计为:响应于接收到用于写入在存储器平面的至少一个选中存储器字中的至少一个选中字节的命令,进行写入操作,写入操作包括跟随...
  • 本公开的实施例涉及包括被配置为接收外部谐振器信号的振荡器的微控制器。一种共享输入/输出单元对被配置为能够被连接至第一外部谐振器或第二外部谐振器。第一振荡器和第二振荡器通过切换电路而被耦合至共享输入/输出单元对。切换电路被配置为能够将第一...
  • 本公开的实施例涉及非易失性静态随机存取存储器和对应控制方法。一种实施例集成电路包括存储器设备,存储器设备包括至少一个存储器点,至少一个存储器点具有一起被耦合到公共节点的易失性存储器单元和单个非易失性存储器单元。
  • 本公开的实施例涉及调节集成电路。振荡模拟信号包括一系列阻尼振荡。调节该振荡模拟信号以产生输出信号,该输出信号仅包括振荡模拟信号的振幅小于第一阈值的振荡。然后,输出信号由处理单元处理,其中第一阈值与处理单元可承受的最大电压电平兼容。
  • 本公开涉及近场通信(NFC)设备的NFC控制器,该NFC控制器被配置成:在由NFC控制器检测到与第一NFC事务有关的NFC读取器之后,并且在接收到来自NFC读取器(104)的应用选择命令(305)之前,向NFC设备的事务处置元件(210...
  • 所公开的是嵌入式系统和启动嵌入式系统的方法。启动嵌入式系统的方法包括执行与嵌入式系统的操作系统的指令不同的第一指令。该方法还包括响应于执行第一指令,使至少一个应用存储到非易失性存储器中。
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