【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例和实现涉及集成电路，特别是低压电容元件。
技术介绍
1、实际上，用于处理集成电路的射频信号的部件和模拟部件特别需要具有用于低电压(通常用于其端子处接近0v的电压)的线性电容值的电容器。
2、例如，在0.0v和0.5v之间，小于电容值的10％至15％的变化被认为是可接受的。
3、通常，这种电容器是由通过例如mom(金属-氧化物-金属)类型的电介质层分离的导电材料的两层的界面制成的。
4、然而，根据该方法(mom类型)制成的电容器具有例如大约3ff/μm2的相对低的每单位面积的电容值，并且可以占到集成电路的模拟部件的容量的10％，以及用于处理集成电路的射频信号的部件的容量的50％。
5、用于mos(金属-氧化物-硅)类型的电容器的常规技术在表面电容值方面提供了更好的性能，但在低电压变化方面提供了更差的性能。
6、因此，值得增加集成电路电容器的表面电容值，同时保持该低电压值的可接受的变化。
技术实现思路
1、为此，根据...
【技术保护点】
1.一种集成电路电容器，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路电容器，还包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路电容器，其中所述接触区域与所述掺杂区域接触。
4.根据权利要求2所述的集成电路电容器，其中所述接触区域的掺杂水平超过所述半导体衬底的掺杂水平。
5.根据权利要求1所述的集成电路电容器，还包括：
6.根据权利要求5所述的集成电路电容器，其中所述接触区域与所述掺杂区域接触。
7.根据权利要求5所述的集成电路电容器，其中所述接触区域的掺杂水平超过所述掺杂区域的掺杂水平。
8.根据...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路电容器，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路电容器，还包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路电容器，其中所述接触区域与所述掺杂区域接触。
4.根据权利要求2所述的集成电路电容器，其中所述接触区域的掺杂水平超过所述半导体衬底的掺杂水平。
5.根据权利要求1所述的集成电路电容器，还包括：
6.根据权利要求5所述的集成电路电容器，其中所述接触区域与所述掺杂区域接触。
7.根据权利要求5所述的集成电路电容器，其中所述接触区域的掺杂水平超过所述掺杂区域的掺杂水平。
8.根据权利要求1所述的集成电路电容器，还包括：使所述第一导电层与所述半导体衬底的所述掺杂区域绝缘的电介质层，以及使所述第二导电层与所述第一导电...
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