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本申请的各实施例涉及包括电容元件的集成电路和制造方法。集成电路的电容元件包括第一电极和第二电极。第一电极由位于掺杂有第一导电类型的半导体阱上方的第一导电层形成。第二电极由位于半导体阱的第一导电层上方的第二导电层形成。第二电极还由半导体阱内的...
该专利属于意法半导体（鲁塞）公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体（鲁塞）公司授权不得商用。

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