半导体装置制造方法及图纸

提供一种半导体装置。选择性钌和选择性氧化钌可用于单镶嵌制程及/或双镶嵌制程，以形成电子装置的BEOL(back end of line)金属化层和导孔。可形成选择性钌衬层，以实现BEOL金属化层和导孔的低接触电阻和低片电阻，提升BEOL金属化层和导孔中各层和材料之间的附着力，及/或减少或消除BEOL金属化层和导孔中的缺陷(如空隙和不连续性)。缺陷(如空隙和不连续性)。缺陷(如空隙和不连续性)。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本公开实施例是关于半导体装置，特别是关于具有氧化钌膜和钌衬层的半导体装置及其形成方法。

技术介绍

[0002]后段制程(BEOL)区域是电子装置(例如处理器、存储器)的区域，其中各个半导体装置(例如晶体管、电容器、电阻器)通过金属化层(也称作为导线)和连接金属化层的导孔来相互连接。金属化层和一个或多个导孔可以在称为双镶嵌制程的相同的制程期间形成。在双镶嵌制程中，金属化层的导孔和沟槽使用导孔先行程序(via
‑
first procedure)或沟槽先行程序(trench
‑
first procedure)来蚀刻。接着，在相同的电镀操作(例如电镀)中使用导电材料来填充沟槽和导孔。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种半导体装置，包括：双镶嵌结构，包含在一个或多个介电层中，包含导孔及沟槽；氧化钌膜，直接位于导孔的多个侧壁，且直接位于沟槽的多个侧壁；钌衬层，位于导孔的多个侧壁上的氧化钌膜上，且位于沟槽的多个侧壁上的氧化钌膜上；以及铜层，位于导孔中以及沟槽中的钌衬层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一双镶嵌结构，包含在一个或多个介电层中，包含一导孔及一沟槽；一氧化钌膜，直接位于该导孔的多个侧壁，且直接位于该沟槽的多个侧壁；...

【专利技术属性】
技术研发人员：金书正，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：