半导体器件中的接触件结构制造技术

本申请公开了半导体器件中的接触件结构。公开了一种具有无衬里接触件结构的半导体器件及其制造方法。该方法包括：在第一鳍结构和第二鳍结构上形成的第一源极/漏极(S/D)区域和第二S/D区域之间形成第一电介质层；在第一鳍结构和第二鳍结构上形成的第一栅极全环绕(GAA)结构和第二GAA结构以及在第一电介质层上形成第二电介质层；在第二电介质层中并且在第一GAA结构和第二GAA结构以及第一电介质层上形成渐缩沟槽开口；在暴露的第一GAA结构和第二GAA结构以及第一电介质层的顶表面上选择性地形成种子层；以及在种子层上选择性地沉积导电层。导电层。导电层。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件中的接触件结构


[0001]本公开涉及半导体器件中的接触件结构。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的进步，对更高存储容量、更快处理系统、更高性能和更低成本的需求不断增加。为了满足这些需求，半导体行业不断缩小半导体器件(例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括平面MOSFET、鳍式场效应晶体管(finFET)和栅极全环绕FET(GAA FET))的尺寸。这种按比例缩小增加了半导体制造工艺的复杂性。

技术实现思路

[0003]根据本公开的第一方面，提供了一种用于形成半导体器件的方法，包括：在第一鳍结构和第二鳍结构上分别形成第一源极/漏极(S/D)区域和第二S/D区域；在所述第一S/D区域和所述第二S/D区域之间形成第一电介质层；在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上分别形成第一栅极全环绕(GAA)结构和第二GAA结构，其中，所述第一GAA结构和所述第二GAA结构被所述第一电介质层电隔离；在所述第一GAA结构和所述第二GAA结构以及所述第一电介质层上形成第二电介质层；在所述第二电介质层中并且在所述第一GAA结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：在第一鳍结构和第二鳍结构上分别形成第一源极/漏极(S/D)区域和第二S/D区域；在所述第一S/D区域和所述第二S/D区域之间形成第一电介质层；在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上分别形成第一栅极全环绕(GAA)结构和第二GAA结构，其中，所述第一GAA结构和所述第二GAA结构被所述第一电介质层电隔离；在所述第一GAA结构和所述第二GAA结构以及所述第一电介质层上形成第二电介质层；在所述第二电介质层中并且在所述第一GAA结构和所述第二GAA结构以及所述第一电介质层上形成渐缩沟槽开口；在所述第一GAA结构和所述第二GAA结构以及所述第一电介质层的在所述渐缩沟槽开口中暴露的顶表面上选择性地形成种子层；以及在所述种子层上选择性地沉积导电层以填充所述渐缩沟槽开口。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述渐缩沟槽开口包括：形成包括具有基本竖直侧壁的顶部部分和底部部分以及具有倾斜侧壁的过渡部分的沟槽开口，其中，所述顶部部分比所述底部部分宽。3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述渐缩沟槽开口包括：在所述第二电介质层中形成具有第一宽度的沟槽开口；在具有所述第一宽度的所述沟槽开口的底部部分沉积掩蔽层以部分填充所述沟槽开口；以及对在所述沟槽开口中的位于所述掩蔽层上方的顶部部分中暴露的所述第二电介质层的部分执行横向蚀刻，以形成大于所述底部部分的第一宽度的所述顶部部分的第二宽度。4.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地形成所述种子层包括：在所述渐缩沟槽开口中沉积种子层材料，其中，所述种子层材料的第一部分沿着所述渐缩沟槽开口的侧壁沉积，并且所述种子层材料的第二部分沉积在所述第一GAA结构和所述第二GAA结构以及所述第一电介质层上；以及选择性地蚀刻所述种子层材料的第一部分。5.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地形成所述种子层包括：在所述渐缩沟槽开口中和所述第二电介质层上沉积种子层材料；选择性地蚀刻沿着所述渐缩沟槽开口的侧壁的所述种子层材料的第一部分；用掩蔽层填充所述渐缩沟槽开口；以及蚀刻所述第二电介质层上的所述种子层材料的第二部分。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：林秉顺，程仲良，赵皇麟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：