半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；栅极结构，位于所述基底上；源漏结构，位于所述栅极结构两侧的所述基底内；源漏接触层，位于所述栅极结构之间的所述源漏结构上；保护层，位于所述源漏接触层和所述栅极结构之间；栅极盖帽层，位于所述源漏接触层之间的所述栅极结构上。本发明专利技术实施例中，保护层，位于所述源漏接触层和所述栅极结构之间，所述源漏接触层，位于所述保护层之间的所述源漏结构上，所述保护层能够很好的将源漏接触层和栅极结构电隔离，使得源漏接触层和栅极结构不易桥接，有利于提高半导体结构的电学性能。有利于提高半导体结构的电学性能。有利于提高半导体结构的电学性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路制造技术的不断发展，人们对集成电路的集成度和性能的要求变得越来越高。为了提高集成度，降低成本，元器件的关键尺寸不断变小，集成电路内部的电路密度越来越大，这种发展使得晶圆表面无法提供足够的面积来制作所需要的互连线。
[0003]为了满足关键尺寸缩小过后的互连线所需，目前不同金属层或者金属层与基底的导通是通过互连结构实现的。互连结构包括互连线和形成于接触开口内的接触孔插塞。接触孔插塞与半导体器件相连接，互连线实现接触孔插塞之间的连接，从而构成电路。
[0004]半导体结构包括基底、位于所述基底上的栅极结构和位于栅极结构两侧所述基底内的源漏结构，用于在半导体结构工作提高沟道中载流子的迁移速。在后端中，所述半导体结构还包括位于源漏结构表面的源漏接触层，用于实现源漏结构与外部电路的连接，源漏接触层和栅极结构之间绝缘性能对半导体结构的电学性能有着至关重要的硬性。
[0005]此外，为实现进一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的所述基底内形成有源漏结构，所述栅极结构露出的所述基底上形成有层间介质层，所述层间介质层覆盖源漏结构和所述栅极结构的侧壁，且所述层间介质层的顶部高于所述栅极结构的顶部，所述层间介质层以及栅极结构围成凹槽；在所述凹槽中形成第一栅极盖帽层，所述第一栅极盖帽层的耐刻蚀度大于所述层间介质层的耐刻蚀度；形成贯穿所述层间介质层且露出所述源漏结构的第一开口；在所述第一开口中形成源漏接触层；形成所述源漏接触层后，去除所述第一栅极盖帽层，在所述栅极结构的顶部形成第二开口；在所述第二开口中形成第二栅极盖帽层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一开口的步骤中，所述第一开口的侧壁上形成有保护层。3.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅极盖帽层的材料包括：铝、氧化铝、氮化铝、氮化钛、氧化钛和氧化钨中的一种或多种。4.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述凹槽中形成第一栅极盖帽层的步骤包括：在所述凹槽和层间介质层上形成第一盖帽材料层；去除高于所述层间介质层的所述第一盖帽材料层，剩余的位于所述凹槽中的所述第一盖帽材料层作为第一栅极盖帽层。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺、物理气相沉积工艺或者化学气相沉积工艺形成所述第一盖帽材料层。6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺去除高于所述层间介质层的所述第一盖帽材料层。7.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成贯穿所述层间介质层且露出所述源漏结构的第一开口的步骤包括：在所述第一栅极盖帽层和层间介质层上形成第一介电层；在部分所述栅极结构的正上方的所述第一介电层上形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述第一介电层和层间介质层，形成所述第一开口。8.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述凹槽的深度为5纳米至30纳米。9.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、碳氮化硅和氢氧化硅中的一种或多种。10.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为1纳米至5纳米。11.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括：刻蚀所述层间介质层，形成贯穿所述层间介质层的第三开口；
形成保形覆盖所述第三开口和第一栅极盖帽层的保护材料层；去除所述第一栅极盖帽层顶部的所述保护材料层和所述第三开口底部的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑二虎，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：