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一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；栅极结构，位于所述基底上；源漏结构，位于所述栅极结构两侧的所述基底内；源漏接触层，位于所述栅极结构之间的所述源漏结构上；保护层，位于所述源漏接触层和所述栅极结构之间；栅极盖帽层，位于所述源漏...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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