缺陷修复装置及系统及缺陷修复的方法制造方法及图纸

本公开的一个或多个实施例阐述一种人工智能辅助衬底缺陷修复装置及方法。人工智能辅助缺陷修复装置采用物体检测算法。基于由位于不同相应位置处的检测器获取的多个图像，检测器捕获包括缺陷的物体的各种图。基于所述多个图像获得缺陷及物体的组成信息以及形态信息(例如，形状、大小、位置、高度、深度、宽度、长度或类似信息)。物体检测算法分析图像且确定缺陷的类型，且推荐用于修补缺陷的材料(例如，刻蚀气体)及相关联信息(例如，刻蚀气体的供应时间、刻蚀气体的流动速率等)。刻蚀气体的流动速率等)。刻蚀气体的流动速率等)。

【技术实现步骤摘要】
缺陷修复装置及系统及缺陷修复的方法


[0001]本专利技术的实施例涉及缺陷修复装置及系统及缺陷修复的方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(integrated circuit，IC)行业已经历快速增长。IC材料及设计的技术进步已催生出几代IC，其中每一代具有比前一代更小且更复杂的电路。在IC演进的过程中，在几何大小(即，可使用制作工艺形成的最小组件或线)已减小的同时，功能密度(即，每芯片面积内连器件的数目)一般来说已增大。此种按比例缩小的过程一般来说通过提高生产效率及降低相关联的成本来提供益处。此种按比例缩小也已增大处理及制造IC的复杂性，且为实现这些进步，IC处理及制造的相似的发展是有益的。在与光刻图案化相关联的一个例子中，在光刻工艺中使用的光掩模(或掩模)具有界定在其上的电路图案，且将要被转移到晶片上。由于先进技术节点中的小的特征大小，掩模上的图案需要更精确，且光刻图案化对掩模缺陷更敏感。因此，掩模被修复以消除缺陷，且被进一步查验以验证经修复缺陷。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术实施例的一个方面，提供一种缺陷修复的方法。所述方法包括基于定位在相应位置处的多个检测器获得物体的一个或多个图像。物体的所述一个或多个图像包括一个或多个缺陷图像。所述方法包括基于物体的缺陷图像识别缺陷类型。所述方法包括确定用于修复缺陷类型的材料的类型。所述方法包括使用所确定的材料修复物体的缺陷。缺陷图像包含物体及缺陷的形态信息及组成信息。
[0004]根据本专利技术实施例的一个方面，提供一种缺陷修复装置。所述装置包括：信号源，被配置成向物体发射光信号；定位在第一位置处的第一检测器，被配置成接收从物体反射的第一信号；定位在第二位置处的第二检测器，被配置成接收从物体反射的第二信号；定位在第三位置处的第三检测器，被配置成接收从物体反射的第三信号；定位在第四位置处的第四检测器，被配置成接收从物体反射的第四信号；以及控制器，被配置成：分析第一信号以产生在物体上包括缺陷的物体的第一图像；分析第二信号以产生在物体上包括缺陷的物体的第二图像；分析第三信号以产生在物体上包括缺陷的物体的第三图像；以及分析第四信号以产生在物体上包括缺陷的物体的第四图像，其中第一信号、第二信号及第三信号包括来自当从与物体相对的信号源发射的光信号接触物体时从物体辐射的二次电子的信号，且其中控制器包括人工智能辅助物体检测算法。
[0005]根据本专利技术实施例的一个方面，提供一种缺陷修复系统。所述系统包括被配置成检查及修复衬底的表面的缺陷修复装置。所述系统包括处理器。所述系统包括以通信方式对缺陷修复装置与处理器进行耦合的通信器件。通信器件被配置成将从处理器生成的信号传输到缺陷修复装置。缺陷修复装置包括第一检测器、第二检测器及第三检测器。第一检测器被配置成基于从信号源生成的反射信号获得衬底的表面的第一图。第二检测器被配置成
基于反射信号获得衬底的表面的不同于第一图的第二图。第三检测器被配置成基于反射信号获得衬底的表面的不同于第一图及第二图的第三图。处理器被配置成分别从第一检测器、第二检测器及第三检测器接收第一图、第二图及第三图。处理器被配置成分析衬底的表面的第一图、分析衬底的表面的第二图、分析衬底的表面的第三图以及基于第一图、第二图及第三图生成衬底的表面的三维图。第一图及第二图包括基于反射信号中所包括的二次电子而生成的图，且第三图包括基于反射信号中所包括的反向散射电子而生成的图。
附图说明
[0006]结合附图阅读以下详细说明，会最佳地理解本公开的各方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1是根据一些实施例构造的修复衬底中的缺陷的方法的流程图。
[0008]图2是根据一些实施例阐述的操作(或方法)的流程图。
[0009]图3示出根据本公开一些实施例构造的缺陷修复装置的示意图。
[0010]图4A示出在物体上方获取的图。
[0011]图4B及图4C示出从物体的侧面获取的图。
[0012]图4D示出从物体的正面(direct side)获取的图。
[0013]图5A示出物体上的缺陷。
[0014]图5B示出被过度刻蚀的物体上的缺陷。
[0015]图6A到图6D示出根据本公开一些实施例的修复缺陷的过程。
[0016]图7是根据一个实施例的控制模块118的方框图。
[0017]图8是示出根据一个实施例的分析模型的操作方面及训练方面的方框图。
[0018]图9是根据一个实施例的掩模版修复工艺的过程的流程图。
具体实施方式
[0019]以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或例子。以下阐述组件及布置的具体例子以简化本公开。当然，这些仅为例子且不旨在进行限制。举例来说，在以下说明中将第一特征形成在第二特征之上或第二特征上可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且还可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征进而使得所述第一特征与所述第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种例子中重复使用参考编号和/或字母。此种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
[0020]此外，为易于说明，本文中可使用例如“位于
…
之下(beneath)”、“位于
…
下方(below)”、“下部的(lower)”、“位于
…
上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述如图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向以外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。装置可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所使用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。
[0021]图1是根据一些实施例构造的修复衬底中的缺陷的方法的流程图。参照图1及其他
图阐述方法10。方法10可用于修复衬底中的任何类型的缺陷。衬底可指代晶片、掩模、光掩模或掩模版。在此流程图中，使用了掩模作为例子。然而，所述方法未必限于修复掩模中的缺陷。
[0022]参照图1，掩模修复可在用于制成掩模的掩模工厂(mask shop)中、在用于使用掩模在晶片上制作半导体器件的制造厂(fab)中或在用于制造掩模毯覆物(mask blanket)的玻璃工厂中实施。应理解，可在方法10之前、期间及之后提供附加的步骤，且对于方法10的附加实施例，可替换、消除或移动所阐述的步骤中的一些步骤。方法10仅为示例性实施例，且不旨在限制本专利技术超出权利要求书中所明确陈述的范围之外。
[0023]方法10开始于在12处接收或提供掩模。所述掩模用于在光刻工艺期间制作半导体晶片。所述掩模包括衬底及形成在衬底上或将要形成在衬底上的图案。所述图案是根据电路设计而定义。在一些实施例中，掩模是将要在极紫外(extrem本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种缺陷修复的方法，包括：基于定位在相应位置处的多个检测器获得物体的一个或多个图像，所述物体的所述一个或多个图像包括一个或多个缺陷图像；基于所述物体的所述缺陷图像识别缺陷类型；确定用于修复所述缺陷类型的材料的类型；使用所确定的所述材料修复所述物体的缺陷，其中所述缺陷图像包含所述物体及所述缺陷的形态信息及组成信息。2.根据权利要求1所述的方法，其中基于定位在相应位置处的多个检测器获得物体的一个或多个图像包括：在所述多个检测器中定位在第一位置处的第一检测器处接收从所述物体反射的第一信号；在所述多个检测器中定位在第二位置处的第二检测器处接收从所述物体反射的第二信号；以及在所述多个检测器中定位在第三位置处的第三检测器处接收从所述物体反射的第三信号，其中所述第三位置与所述物体相对。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一信号、所述第二信号及所述第三信号包括来自当从与所述物体相对的信号源发射的信号接触所述物体时从所述物体辐射的二次电子的信号。4.根据权利要求1所述的方法，其中基于定位在相应位置处的多个检测器获得物体的一个或多个图像包括：在所述多个检测器中定位在第四位置处的第四检测器处接收从所述物体反射的第四信号，其中所述第四检测器与所述第三检测器相邻布置，且所述第四检测器的所述第四位置与所述物体相对。5.一种缺陷修复装置，包括：信号源，被配置成向物体发射光信号；定位在第一位置处的第一检测器，被配置成接收从所述物体反射的第一信号；定位在第二位置处的第二检测器，被配置成接收从所述物体反射的第二信号；定位在第三位置处的第三检测器，被配置成接收从所述物体反射的第三信号；定位在第四位置处的第四检测器，被配置成接收从所述物体反射的第四信号；以及控制器，被配置成：分析所述第一信号以产生在所述物体上包括缺陷的所述物体的第一图像；分析所述第二信号以产生在所述物体上包括所述缺陷的所述物体的第二图像；分析所述第三信号以产生在所述物体上包括所述缺陷的所述物体的第三图像；以及分析所述第四信号以产生在所述物体上包括所述缺陷的所述物体的第四图像，其中所述第一信号、所述第二信号及所述第三信号包括来自当从与所述物体相对的所述信号源发射的所述光信号接触所述物体时从所述物体辐射的二次电子的信号，且其中所述控制器包括人工智能辅助物体检测算法。
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄博建，林重宏，温志伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：