掩膜版修复方法及掩膜版技术

一种掩膜版修复方法及掩膜版，其中，修复方法包括：形成掩膜版，所述掩膜版包括透光基板和遮光层，所述透光基板包括透光区和遮光区，所述遮光层位于所述遮光区表面并暴露出所述透光区的透光基板表面，所述透光区的透光基板表面具有凹坑；在所述凹坑内形成透光修复层。通过在所述凹坑内形成透光修复层，增加了在透光区的凹坑及周围处的透光率，提高了曝光工艺中转移的图形精度。工艺中转移的图形精度。工艺中转移的图形精度。

【技术实现步骤摘要】
掩膜版修复方法及掩膜版


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种掩膜版修复方法及掩膜版。

技术介绍

[0002]在集成电路制造领域，光刻技术被用来将图案从包含电路设计信息的光刻掩膜版上转移到晶圆上，其中的光刻掩膜版(Mask)，也称为光刻版、掩膜版或者光罩，是一种对于曝光光线具有局部透光性的平板，所述平板上具有对于曝光光线具有遮光性的至少一个几何图形，所述几何图形为设计图形，所述设计图形用于在晶圆表面的光刻胶上曝光形成相应的图形。
[0003]然而，在光刻掩膜版的制造过程中，容易对光刻掩膜版中的透光基板表面造成损伤并形成缺陷，造成曝光工艺中，额外且多余的图形被转移到了晶圆上。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种掩膜版修复方法及掩膜版，以增加透光基板表面缺陷处的透光率，提高曝光工艺中转移的图形精度。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种掩膜版修复方法，包括：形成掩膜版，所述掩膜版包括透光基板和遮光层，所述透光基板包括透光区和遮光区，所述遮光层位于所述遮光区表面并暴露出所述透光区的透光基板表面，所述透光区的透光基板表面具有凹坑；在所述凹坑内形成透光修复层。
[0006]可选的，形成所述透光修复层的工艺包括电子束沉积工艺、离子束沉积工艺或镭射沉积工艺。
[0007]可选的，形成所述透光修复层的方法包括：向所述掩膜版表面喷出沉积气体，同时，采用具有预设宽度的电子束、离子束或镭射光束，经多次移动以照射凹坑内或凹坑上的沉积气体，以使所述透光修复层填充满所述凹坑。
[0008]可选的，所述透光区包括修复区，所述凹坑位于所述修复区内，且形成所述透光修复层的方法包括：在所述修复区表面和凹坑内沉积所述透光修复层的材料。
[0009]可选的，沉积所述透光修复层的材料的工艺包括化学沉积工艺。
[0010]可选的，形成所述透光修复层之前，在所述凹坑处的掩膜版具有第一透光率，所述第一透光率的范围在50％以下；形成所述透光修复层之后，在所述凹坑处的掩膜版具有第二透光率，所述第二透光率的范围为50％至90％。
[0011]可选的，所述透光基板和透光修复层之间的相对折射率范围是0.64至1。
[0012]可选的，所述透光修复层的材料包括二氧化硅、氧化铝、聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯和正硅酸乙酯中的一种或多种。
[0013]可选的，所述透光修复层的透光率是所述透光基板的透光率的80％至 100％。
[0014]可选的，所述透光基板的材料包括石英玻璃。
[0015]可选的，形成掩膜版的方法包括：提供所述初始掩膜版，所述初始掩膜版包括透光
基板、以及位于所述透光基板表面的遮光材料层；刻蚀所述透光区的遮光材料层，直至暴露出所述透光区表面，形成遮光层；在形成所述遮光层后，且在形成所述透光修复层之前，刻蚀透光区表面残留的遮光材料层。
[0016]相应的，本专利技术技术方案还提供一种通过上述掩膜版修复方法所形成的掩膜版，包括：透光基板和遮光层，所述透光基板包括透光区和遮光区，所述遮光层位于所述遮光区表面并暴露出所述透光区的透光基板表面，且所述透光区的透光基板表面具有凹坑；位于所述凹坑内的透光修复层。
[0017]可选的，所述透光基板和透光修复层之间的相对折射率范围是0.64至1。
[0018]可选的，所述透光修复层的材料包括二氧化硅、氧化铝、聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯和正硅酸乙酯中的一种或多种。
[0019]可选的，所述透光修复层的透光率是所述透光基板的透光率的80％至 100％。
[0020]可选的，所述透光基板的材料包括石英玻璃。
[0021]与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：
[0022]本专利技术技术方案提供的掩膜版修复方法中，由于在透光基板表面的凹坑内形成透光修复层，因此，通过所述透光修复层对所述凹坑的填充，增大了凹坑及周围处的掩膜版的表面平整度，从而，减少了曝光工艺中光线在透光区的凹坑及周围处的漫反射。通过减少曝光工艺中光线在透光区的凹坑及周围处的漫反射，即，通过减少光线的反射率，能够增加在透光区的凹坑及周围处的透光率，因此，减少或缩小了被转移到了晶圆上的额外且多余的图形，提高了曝光工艺中转移的图形精度。
附图说明
[0023]图1是一种掩膜版的俯视结构示意图；
[0024]图2至图6是本专利技术一实施例的掩膜版修复方法各步骤的结构示意图；
[0025]图7至图8是本专利技术又一实施例的掩膜版修复方法步骤的结构示意图。
具体实施方式
[0026]如
技术介绍
所述，由于在光刻掩膜版的制造过程中，容易对光刻掩膜版中的透光基板表面造成损伤并形成缺陷，因此，需要对光刻掩膜版进行修复。
[0027]图1是一种掩膜版的俯视结构示意图。
[0028]请参考图1，所述掩膜版包括：透光基板100，所述透光基板100包括遮光区A和透光区B；位于遮光区B上的遮光图形层110。
[0029]所述遮光图形层110为设计图形，从而，晶圆通过所述掩膜版在曝光显影工艺后形成了相应的图形。
[0030]由于在形成遮光图形层110的同时，会形成一些遮光图形层110以外的额外图形，因此，需要通过刻蚀等工艺去除所述额外图形，以避免其转移至晶圆。
[0031]然而，所述刻蚀工艺在去除额外图形的过程中，还容易刻蚀到透光基板 100表面，在透光基板100表面形成凹坑101(如图1所示)。所述凹坑101 会增大透光基板100的表面粗糙度，因此，后续将图形转移到晶圆的曝光工艺中，在凹坑101及其周围之处引起了漫反射，造成凹坑101及其周围之处的透光率变差，导致曝光工艺中将额外的图形转移到了晶圆，造
成转移到晶圆上的图形精度较差。
[0032]为解决所述技术问题，本专利技术实施例提供了一种掩膜版修复方法及掩膜版，在透光区的凹坑内形成透光修复层，增加了透光基板表面缺陷处的透光率，提高了曝光工艺中转移的图形精度。
[0033]为使本专利技术的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。
[0034]图2至图6是本专利技术一实施例的掩膜版修复方法各步骤的结构示意图。
[0035]首先，形成掩膜版，所述掩膜版包括透光基板和遮光层，所述透光基板包括透光区和遮光区，所述遮光层位于所述遮光区表面并暴露出所述透光区的透光基板表面。形成所述掩膜版的详细步骤请参考图2至图4。
[0036]请参考图2，提供初始掩膜版200，所述初始掩膜版200包括透光基板210、以及位于所述透光基板210表面的遮光材料层220。
[0037]在本实施例中，所述透光基板200包括透光区I和遮光区II。
[0038]所述透光基板210具有透光性。
[0039]具体的，在本实施例中，所述透光基板210的材料包括石英玻璃。
[0040]在其他实施例中，透光基板的材料还本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版修复方法，其特征在于，包括：形成掩膜版，所述掩膜版包括透光基板和遮光层，所述透光基板包括透光区和遮光区，所述遮光层位于所述遮光区表面并暴露出所述透光区的透光基板表面，所述透光区的透光基板表面具有凹坑；在所述凹坑内形成透光修复层。2.如权利要求1所述的掩膜版修复方法，其特征在于，形成所述透光修复层的工艺包括电子束沉积工艺、离子束沉积工艺或镭射沉积工艺。3.如权利要求2所述的掩膜版修复方法，其特征在于，形成所述透光修复层的方法包括：向所述掩膜版表面喷出沉积气体，同时，采用具有预设宽度的电子束、离子束或镭射光束，经多次移动以照射凹坑内或凹坑上的沉积气体，以使所述透光修复层填充满所述凹坑。4.如权利要求1所述的掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述透光区包括修复区，所述凹坑位于所述修复区内，且形成所述透光修复层的方法包括：在所述修复区表面和凹坑内沉积所述透光修复层的材料。5.如权利要求4所述的掩膜版修复方法，其特征在于，沉积所述透光修复层的材料的工艺包括化学沉积工艺。6.如权利要求1所述的掩膜版修复方法，其特征在于，形成所述透光修复层之前，在所述凹坑处的掩膜版具有第一透光率，所述第一透光率的范围在50％以下；形成所述透光修复层之后，在所述凹坑处的掩膜版具有第二透光率，所述第二透光率的范围为50％至90％。7.如权利要求1所述的掩膜版修复方法，其特征在于，所述透光基板和透光修复层之间的相对折射率范围是0.64至1。8.如权利要求1所述的掩膜版修复方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦学飞，李德建，田明静，陈明，卢聪，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：