一种目标图案的修正方法及掩膜版的制作方法，其中目标图案的修正方法包括：提供目标图案；提供分割目标图案的窗口；将所述目标图案分割成多个子图案；形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型；根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，形成目标图案的蚀刻偏差补偿机制；对所述子图案进行修正。根据所述修正准确性较好的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，分别对具有不同图形密度的子图案，进行相应的蚀刻偏差值的修正，从而较好地解决了图形密度对蚀刻的影响，从而提高了目标图案最终修正的准确性。图案最终修正的准确性。图案最终修正的准确性。
【技术实现步骤摘要】
目标图案的修正方法和掩膜版的制作方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种目标图案的修正方法和掩膜版的制作方法。
技术介绍
[0002]光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤，曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。
[0003]在具有复杂掩膜图案或具有急剧变化的尺寸和线宽的图案的制造设计中，用于将设计转印至半导体晶圆的平板印刷工艺，可受到邻近图案中的光的衍射的影响。由此导致转印的图案的布局与设计的版图不同。这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近校正(OPC：Optical Proximity Correction)。
[0004]然而，现有技术中经过光学邻近校正后的图形效果仍有待提升。
技术实现思路
[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种目标图案的修正方法和掩膜版的制作方法，以提高目标图案修正结果的准确性。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种目标图案的修正方法，包括：提供目标图案；提供分割目标图案的窗口；将所述目标图案分割成多个子图案；形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型；根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，形成目标图案的蚀刻偏差补偿机制；对所述子图案进行修正。
[0007]可选的，形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型的方法包括：提供模拟图形；提供若干不同的模拟分割窗口尺寸；根据若干模拟分割窗口尺寸，获取所述模拟图形的若干模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型，且每个模拟分割窗口尺寸对应一个模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型；根据若干模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型，获取各模拟分割窗口尺寸对应的若干拟合值；根据若干拟合值，获取子图案的密度与蚀刻偏差关系模型。
[0008]可选的，每次根据一个模拟分割窗口尺寸，获取一个模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型的方法包括：根据所述模拟图形，获取若干模拟位点；获取若干模拟位点的若干蚀刻偏差值，且一个模拟位点对应一个蚀刻偏差值；根据若干模拟位点，获取若干模拟图形密度，且一个模拟位点对应一个模拟图形密度；对若干蚀刻偏差值和对应的若干模拟图形密
度进行模拟，获取一个模拟分割窗口尺寸对应的模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型。
[0009]可选的，根据若干模拟位点，获取若干模拟图形密度的方法包括：分别对若干模拟位点进行一次模拟图形密度计算，获取若干模拟图形密度，每次模拟图形密度计算的方法包括：以一个模拟位点为中心，根据一个模拟分割窗口尺寸，获取一个模拟分割窗口；根据所述模拟分割窗口，获取所述模拟分割窗口内的模拟图形面积；根据所述模拟分割窗口内的模拟图形面积和模拟分割窗口面积，获取一个模拟位点对应的模拟图形密度。
[0010]可选的，对若干蚀刻偏差值和对应的若干模拟图形密度进行模拟的方法包括：采用最小二乘法，对若干组蚀刻偏差值和模拟图形密度进行拟合，获取多项式方程。
[0011]可选的，所述模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型的拟合值为所述多项式方程的R2值。
[0012]可选的，根据所述模拟图形，获取若干模拟位点的方法包括：选取模拟图形的边缘作为起始边缘；设定预设步长；根据起始边缘上的若干位点和预设步长，获取若干模拟位点。
[0013]可选的，所述模拟分割窗口尺寸的获取方法包括：获取若干模拟位点的蚀刻偏差值；当蚀刻偏差值的变化在第一预设范围内时，将所述模拟位点与起始边缘的距离作为初始距离；根据所述初始距离，将模拟分割窗口尺寸设置为所述初始距离的2倍。
[0014]可选的，所述模拟分割窗口尺寸的获取方法还包括：根据所述初始距离，获取若干变化距离，所述变化距离与初始距离的比值在第二预设范围内；根据所述变化距离，将模拟分割窗口尺寸设置为所述变化距离的2倍。
[0015]可选的，获取若干模拟位点的蚀刻偏差值的方法包括：对所述模拟图形进行刻蚀，获取蚀刻图形；根据模拟图形，在所述蚀刻图形上获取各个模拟位点对应的蚀刻位点；根据模拟位点和蚀刻位点，获取蚀刻偏差值。
[0016]可选的，提供分割目标图案的窗口包括：提供窗口尺寸；所述将所述目标图案分割成多个子图案的方法包括：根据所述窗口尺寸，形成分割目标图案的窗口；根据所述窗口，将所述目标图案分割成若干子图案，且每个所述子图案的最长的尺寸小于或者等于所述窗口尺寸。
[0017]可选的，根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型形成所述目标图案的蚀刻偏差补偿机制的方法包括：根据所述窗口获取子图案的密度；根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，获取各子图案的蚀刻偏差值，每个子图案对应一个蚀刻偏差值。
[0018]可选的，对所述子图案进行修正的方法包括：根据各所述蚀刻偏差值，分别对子图案进行修正。
[0019]可选的，根据所述窗口获取子图案的密度的方法包括：根据所述窗口内的子图案的面积和所述窗口的面积的比值，获取子图案的密度。
[0020]可选的，所述子图案的中心为窗口的中心。
[0021]可选的，所述窗口的图形包括：圆形或者正方形。
[0022]可选的，当所述窗口的图形为正方形时，所述窗口的边长为所述窗口尺寸。
[0023]可选的，所述窗口的图形为圆形时，所述窗口的直径为所述窗口尺寸。
[0024]相应的，本专利技术技术方案还提供一种掩膜版的制作方法，包括：提供目标图案；提供分割目标图案的窗口；将所述目标图案分割成多个子图案；形成所述窗口对应的子图案
的密度与蚀刻偏差关系模型；根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，形成目标图案的蚀刻偏差补偿机制；对所述子图案进行修正，获取修正图形；根据所述修正图形，制作掩膜版
[0025]与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：
[0026]本专利技术技术方案提供的目标图案的修正方法中，提供分割目标图案的窗口，根据所述窗口将所述目标图案分割成多个子图案；形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，通过合理地选择窗口，获取对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型是根据不同的图形密度，具有不同的蚀刻偏差值建立的，且所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型的拟合值较高，能够有效提高目标图案的修正的准确性。进而，根据所述修正准确性较好的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，分别对具有不同图形密度的子图案，进行相应的蚀刻偏差值的修正，从而较好地解决了不同图形密度对蚀刻的影响，从而提高本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种目标图案的修正方法，其特征在于，包括：提供目标图案；提供分割目标图案的窗口；将所述目标图案分割成多个子图案；形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型；根据所述子图案的密度与蚀刻偏差关系模型，形成目标图案的蚀刻偏差补偿机制；对所述子图案进行修正。2.如权利要求1所述的目标图案的修正方法，其特征在于，形成所述窗口对应的子图案的密度与蚀刻偏差关系模型的方法包括：提供模拟图形；提供若干不同的模拟分割窗口尺寸；根据若干模拟分割窗口尺寸，获取所述模拟图形的若干模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型，且每个模拟分割窗口尺寸对应一个模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型；根据若干模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型，获取各模拟分割窗口尺寸对应的若干拟合值；根据若干拟合值，获取子图案的密度与蚀刻偏差关系模型。3.如权利要求2所述的目标图案的修正方法，其特征在于，每次根据一个模拟分割窗口尺寸，获取一个模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型的方法包括：根据所述模拟图形，获取若干模拟位点；获取若干模拟位点的若干蚀刻偏差值，且一个模拟位点对应一个蚀刻偏差值；根据若干模拟位点，获取若干模拟图形密度，且一个模拟位点对应一个模拟图形密度；对若干蚀刻偏差值和对应的若干模拟图形密度进行模拟，获取一个模拟分割窗口尺寸对应的模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型。4.如权利要求3所述的目标图案的修正方法，其特征在于，根据若干模拟位点，获取若干模拟图形密度的方法包括：分别对若干模拟位点进行一次模拟图形密度计算，获取若干模拟图形密度，每次模拟图形密度计算的方法包括：以一个模拟位点为中心，根据一个模拟分割窗口尺寸，获取一个模拟分割窗口；根据所述模拟分割窗口，获取所述模拟分割窗口内的模拟图形面积；根据所述模拟分割窗口内的模拟图形面积和模拟分割窗口面积，获取一个模拟位点对应的模拟图形密度。5.如权利要求3所述的目标图案的修正方法，其特征在于，对若干蚀刻偏差值和对应的若干模拟图形密度进行模拟的方法包括：采用最小二乘法，对若干组蚀刻偏差值和模拟图形密度进行拟合，获取多项式方程。6.如权利要求5所述的目标图案的修正方法，其特征在于，所述模拟图形密度和蚀刻偏差关系模型的拟合值为所述多项式方程的R2值。7.如权利要求3所述的目标图案的修正方法，其特征在于，根据所述模拟图形，获取若干模拟位点的方法包括：选取模拟图形的边缘作为起始边缘；设定预设步长；根据起始边缘上的若干位点和预设步长，获取若干模拟位点。8.如权利要求7所述的目标图案的修正方法，其特征在于，所述模拟分割窗口尺寸的获取方法包括：获取若干模拟位点的蚀刻偏差值；当蚀刻偏差值的变化在...
【专利技术属性】
技术研发人员：王健，姚赛楠，舒强，张迎春，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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