相位移光罩的修补方法、修补装置以及相位移光罩制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种相位移光罩的修补方法、修补装置以及相位移光罩，所述修补方法包括：提供一待修补的相位移光罩，所述相位移光罩具有透明基底，所述透明基底具有第一表面，所述第一表面上具有不透光线条；获取所述不透光线条的图形结构，以确定所述相位移光罩中所述不透光线条的缺失部分；在所述第一表面对应所述缺失部分的区域形成刻蚀沟槽，以降低所述区域的透光率。应用本发明专利技术提供的技术方案，通过使用光罩修补机台以刻蚀修补法的方式进行玻璃损害修补，可以降低遮光率，并减少光学邻近效应。应。应。

【技术实现步骤摘要】
相位移光罩的修补方法、修补装置以及相位移光罩


[0001]本申请涉及光刻
，更具体的说，涉及一种相位移光罩的修补方法、修补装置以及相位移光罩。

技术介绍

[0002]在半导体制造的整个流程中，其中一部分是从版图到晶圆制造间的一个过程，即光掩膜或称光罩(Mask)制造。这一部分是整个半导体制造流程衔接的关键部分，是流程中造价最高的一部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。
[0003]相位移光罩(Phase Shift Mask，简称PSM)是一种主要用于将预设的光罩图案精确且清晰的转印到晶圆上的光罩。目前相位移光罩在制造过程中一般是在透光的基板上形成不透光膜层，然后对所述不透光膜层进行刻蚀，形成所需的光罩图案。
[0004]现有技术中，对于光罩图形有缺失的相位移光罩，需要进行修补，以保证光罩图案能够准确无误的转移到晶圆上。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术提供了一种相位移光罩的修补方法、修补装置以及相位移光罩，通过使用光罩修补机台以刻蚀修补法的方式进行玻璃损害修补，可以降低遮光率，并减少光学邻近效应。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0007]一种相位移光罩的修补方法，所述修补方法包括：
[0008]提供一待修补的相位移光罩，所述相位移光罩具有透明基底，所述透明基底具有第一表面，所述第一表面上具有不透光线条；
[0009]获取所述不透光线条的图形结构，以确定所述相位移光罩中所述不透光线条的缺失部分；
[0010]在所述第一表面对应所述缺失部分的区域形成刻蚀沟槽，以降低所述区域的透光率。
[0011]优选的，在上述的修补方法中，所述透明基底为玻璃基板；
[0012]在所述第一表面对应所述缺失部分的区域形成刻蚀沟槽，包括：
[0013]通过电子束以及刻蚀气体对所述透明基底进行刻蚀，在所述第一表面形成所述刻蚀沟槽；
[0014]或，通过离子束对所述透明基底进行刻蚀，在所述第一表面形成所述刻蚀沟槽；
[0015]或，通过激光束对所述透明基底进行刻蚀，在所述第一表面形成所述刻蚀沟槽；
[0016]或，通过机械力对所述透明基底进行刻蚀，在所述第一表面形成所述刻蚀沟槽。
[0017]优选的，在上述的修补方法中，如果通过电子束以及刻蚀气体对所述透明基底进行刻蚀，所述刻蚀气体是XeF2。
[0018]优选的，在上述的修补方法中，所述不透光线条包括：主图形线、第一辅助线和第
二辅助线；所述主图形线位于所述第一辅助线与所述第二辅助线之间；
[0019]所述第一辅助线至少部分缺失，所述第一辅助线具有第一缺失部分；在所述第一表面对应所述第一缺失部分的区域形成刻蚀沟槽，包括：在所述第一表面对应所述第一缺失部分的区域形成第一刻蚀槽；
[0020]和/或，所述第二辅助线至少部分缺失，所述第二辅助线具有第二缺失部分；在所述第一表面对应所述第二缺失部分的区域形成刻蚀沟槽，包括：在所述第一表面对应所述第二缺失部分的区域形成第二刻蚀槽。
[0021]本专利技术还提供一种相位移光罩的修补装置，所述修补装置包括：
[0022]图像采集设备，用于采集待修补相位移光罩中不透光线条的图形结构；所述相位移光罩具有透光基底，所述透明基底具有第一表面，所述第一表面上具有所述不透光线条；
[0023]与所述图像采集设备连接的主机，用于基于所述图形结构确定所述相位移光罩中所述不透光线条的缺失部分；
[0024]与所述主机连接的刻蚀设备，用于响应所述主机的控制，在所述第一表面对应所述缺失部分的区域形成刻蚀沟槽，以降低所述区域的透光率。
[0025]本专利技术还提供一种相位移光罩，所述相位移光罩的包括：
[0026]透光基底，所述透明基底具有第一表面，所述第一表面上具有多条不透光线条；所述不透光线条具有缺失部分；
[0027]对应所述缺失部分的区域具有刻蚀沟槽，所述刻蚀沟槽用于降低所述区域的透光率。
[0028]优选的，在上述的相位移光罩中，所述透明基板为玻璃基板，所述不透光线条为位于所述第一表面的MoSi条状结构。
[0029]优选的，在上述的相位移光罩中，所述刻蚀沟槽的深度小于所述透明基底的深度，宽度等于所对应不透光线条的宽度。
[0030]优选的，在上述的相位移光罩中，所述不透光线条包括：
[0031]主图形线、第一辅助线和第二辅助线；所述主图形线位于所述第一辅助线与所述第二辅助线之间；
[0032]所述第一辅助线至少部分缺失，所述第一辅助线具有第一缺失部分；所述刻蚀沟槽包括：位于所述第一缺失部分对应区域的第一刻蚀沟槽；
[0033]和/或，所述第二辅助线至少部分缺失，所述第二辅助线具有第二缺失部分。所述刻蚀沟槽包括：位于所述第二缺失部分对应区域的第二刻蚀沟槽。
[0034]通过上述描述可知，本专利技术技术方案提供的相位移光罩的修补方法、修补装置以及相位移光罩中，通过获取不透光线条的图形结构，以确定相位移光罩中不透光线条的缺失部分，并在对应缺失部分的区域形成刻蚀沟槽，以降低该区域的透光率。应用本专利技术提供的技术方案，通过使用光罩修补机台以刻蚀修补法的方式进行玻璃损害修补，降低遮光率，以达到减少光学邻近效应的目的。
附图说明
[0035]为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本
申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0036]本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本申请可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本申请所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本申请所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。
[0037]图1为现有相位移光罩修补前的俯视图；
[0038]图2为图1中AA
′
方向上的切面图；
[0039]图3为现有相位移光罩修补后的俯视图；
[0040]图4为图3中BB
′
方向上的切面图；
[0041]图5为本专利技术实施例提供的一种相位移光罩的修补方法流程图；
[0042]图6为本专利技术实施例提供的一种相位移光罩修补后的俯视图；
[0043]图7为图6中CC
′
方向上的切面图；
[0044]图8为本专利技术实施例提供的一种相位移光罩的切面图；
[0045]图9为本专利技术实施例提供的另一种相位移光罩的切面图；
[0046]图10为本专利技术实施例中提供的一种相位移光罩修补前的表面图形以及透光强度曲线图；
[0047]图11为本专利技术实施例中提供的一种相位移本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种相位移光罩的修补方法，其特征在于，所述修补方法包括：提供一待修补的相位移光罩，所述相位移光罩具有透明基底，所述透明基底具有第一表面，所述第一表面上具有不透光线条；获取所述不透光线条的图形结构，以确定所述相位移光罩中所述不透光线条的缺失部分；在所述第一表面对应所述缺失部分的区域形成刻蚀沟槽，以降低所述区域的透光率。2.根据权利要求1所述的修补方法，其特征在于，所述透明基底为玻璃基板；在所述第一表面对应所述缺失部分的区域形成刻蚀沟槽，包括：通过电子束以及刻蚀气体对所述透明基底进行刻蚀，在所述第一表面形成所述刻蚀沟槽；或，通过离子束对所述透明基底进行刻蚀，在所述第一表面形成所述刻蚀沟槽；或，通过激光束对所述透明基底进行刻蚀，在所述第一表面形成所述刻蚀沟槽；或，通过机械力对所述透明基底进行刻蚀，在所述第一表面形成所述刻蚀沟槽。3.根据权利要求2所述的修补方法，其特征在于，如果通过电子束以及刻蚀气体对所述透明基底进行刻蚀，所述刻蚀气体为是XeF2。4.根据权利要求1所述的修补方法，其特征在于，所述不透光线条包括：主图形线、第一辅助线和第二辅助线；所述主图形线位于所述第一辅助线与所述第二辅助线之间；所述第一辅助线至少部分缺失，所述第一辅助线具有第一缺失部分；在所述第一表面对应所述第一缺失部分的区域形成刻蚀沟槽，包括：在所述第一表面对应所述第一缺失部分的区域形成第一刻蚀槽；和/或，所述第二辅助线至少部分缺失，所述第二辅助线具有第二缺失部分；在所述第一表面对应所述第二缺失部分的区域形成刻蚀沟槽，包括：在所述第一表面对应所述第二缺失部分的区...

【专利技术属性】
技术研发人员：张哲玮，高翌，朱佳楠，
申请(专利权)人：泉意光罩光电科技济南有限公司，
类型：发明
国别省市：