版图的修正方法技术

本申请具体涉及一种版图的修正方法，包括：提供初始版图；对所述初始版图进行扩展得到扩展版图；对所述扩展版图进行修正得到修正版图；基于所述修正版图得到目标版图。采用上述实施例中的版图的修正方法对版图修正后，OPC的可靠性更高，关键尺寸均匀，不会引起晶圆上的光刻胶层轮廓的波动，从而确保产品的良率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
版图的修正方法


[0001]本申请属于半导体
，具体涉及一种版图的修正方法。

技术介绍

[0002]目前，在对于DRAM(动态随机存取存储器)阵列的版图进行修正时，为节省时间，通常选取一较小尺寸的版图区域进行修正，然后将该版图区域扩展为较大的阵列区域。该较小尺寸的版图区域没有考虑到光学直径的影响(，这将会导致光学邻近修正不准确，从而导致关键尺寸(CD)不均匀或晶圆上的光刻胶轮廓的波动，进而影响产品的良率。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对上述
技术介绍
中的问题，提供一种能够解决上述问题的版图的修正方法。
[0004]本申请提供一种版图的修正方法，包括：
[0005]提供初始版图；
[0006]对所述初始版图进行扩展得到扩展版图；
[0007]对所述扩展版图进行修正得到修正版图；
[0008]基于所述修正版图得到目标版图。
[0009]采用上述实施例中的版图的修正方法对版图修正后，OPC的可靠性更高，关键尺寸均匀，不会引起晶圆上的光刻胶层轮廓的波动，从而确保产品的良率。
[0010]在其中一个实施例中，所述初始版图包括中心版图和周边版图，所述周边版图围绕于所述中心版图单元的外侧。
[0011]在其中一个示例中，基于所述周边版图的尺寸与光学直径的关系对所述初始版图进行扩展。
[0012]在其中一个实施例中，当所述周边版图的尺寸小于所述光学直径时，对所述中心版图进行二维扩展以及对所述周边版图进行一维扩展得到扩展版图；r/>[0013]所述扩展版图包括所述中心版图以及周边扩展版图，所述周边扩展版图包括扩展的周边版图以及扩展的中心版图。
[0014]在其中一个实施例中，所述周边扩展版图的尺寸大于所述光学直径时停止扩展所述初始版图。
[0015]在其中一个实施例中，还包括：
[0016]对所述扩展版图进行再扩展。
[0017]在其中一个实施例中，所述对所述扩展版图进行再扩展，包括：
[0018]对所述中心版图进行二维扩展，对所述周边扩展版图进行一维扩展。
[0019]在其中一个实施例中，所述对所述扩展版图进行修正得到修正版图，包括：
[0020]重构所述扩展版图的层次结构；
[0021]对重构后的所述扩展版图进行修正得到修正版图。
[0022]在其中一个实施例中，所述重构所述扩展版图的层次结构，包括：
[0023]将所述中心版图以及扩展的中心版图重构为二维结构单元阵列，所述二维结构单元阵列具有第一方向和第二方向。
[0024]在其中一个实施例中，所述重构所述扩展版图的层次结构，还包括：
[0025]将部分所述周边扩展版图重构为二维结构单元阵列。
[0026]在其中一个实施例中，所述重构所述扩展版图的层次结构，还包括：
[0027]将所述周边扩展版图重构为第一一维单元阵列、第二一维单元阵列以连接版图；所述连接版图位于所述第一一维单元阵列与第二一维单元阵列之间。
[0028]在其中一个实施例中，所述二维结构单元阵列具有沿所述第一方向上的第一长度和沿所述第二方向上的第二长度；
[0029]所述第一一维单元阵列具有沿第一方向的第一延伸长度且所述第一延伸长度与所述第一长度相同；
[0030]所述第二一维单元阵列具有沿第二方向的第二延伸长度且所述第二延伸长度与所述第二长度相同。
[0031]在其中一个实施例中，所述基于所述修正版图得到目标版图，包括：
[0032]提取所述修正版图的中心版图、所述连接版图以及与所述中心版图对应的部分所述第一一维单元阵列和部分所述第二一维单元阵列并合并组成目标版图。
[0033]在其中一个实施例中，还包括：
[0034]对所述目标版图进行扩展得到完整版图。
附图说明
[0035]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。
[0036]图1为本申请提供的版图的修正方法的流程图。
[0037]图2至图8为本申请提供的版图的修正方法中各步骤得到的版图的示意图。
[0038]附图标记说明：10、初始版图；101、中心版图；102、周边版图；11、扩展版图；111、周边扩展版图；1111、扩展的周边版图；1112、扩展的中心版图；12、修正版图；121、122、二维结构单元阵列；123、第一一维单元阵列；124、第二一维单元阵列；125、连接版图；13、目标版图；14、完整版图。
具体实施方式
[0039]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。
[0040]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具
体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0041]在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下，除非使用了明确的限定用语，例如“仅”、“由
……
组成”等，否则还可以添加另一部件。除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式，并不能理解为其数量为一个。
[0042]请参阅图1，本申请提供一种版图的修正方法，包括如下步骤：
[0043]S11：提供初始版图；
[0044]S12：对所述初始版图进行扩展得到扩展版图；
[0045]S13：对所述扩展版图进行修正得到修正版图；
[0046]S14：基于所述修正版图得到目标版图。
[0047]采用上述实施例中的版图的修正方法对版图修正后，OPC的可靠性更高，关键尺寸均匀，不会引起晶圆上的光刻胶层轮廓的波动，从而确保产品的良率。
[0048]在步骤S11中，请参阅图1中的S11及图2，提供初始版图10。
[0049]在一个示例中，初始版图10包括中心版图101和周边版图102，周边版图102围绕于中心版图单元101的外侧。具体的，本实施例中，初始版图10可以为9单元结构，即如图2所示，中间版图101的数量为一个，即图1中的版图C；周边版图102可以为8个，分别为版图UL、版图L、版图LL、版图B、版图T、版图UR、版图R及版图LR。版图UL、版图L、版图LL、版图B、版图T、版图UR、版图R及版图LR的边界可以均为矩形。
[0050]在步骤S12中，请参阅图1中的S12步骤及图3至图4，对初始本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种版图的修正方法，其特征在于，包括：提供初始版图；对所述初始版图进行扩展得到扩展版图；对所述扩展版图进行修正得到修正版图；基于所述修正版图得到目标版图。2.根据权利要求1所述的版图的修正方法，其特征在于，所述初始版图包括中心版图和周边版图，所述周边版图围绕于所述中心版图单元的外侧。3.根据权利要求2所述的版图的修正方法，其特征在于，基于所述周边版图的尺寸与光学直径的关系对所述初始版图进行扩展。4.根据权利要求3所述的版图的修正方法，其特征在于，当所述周边版图的尺寸小于所述光学直径时，对所述中心版图进行二维扩展以及对所述周边版图进行一维扩展得到扩展版图；所述扩展版图包括所述中心版图以及周边扩展版图，所述周边扩展版图包括扩展的周边版图以及扩展的中心版图。5.根据权利要求4所述的版图的修正方法，其特征在于，所述周边扩展版图的尺寸大于所述光学直径时停止扩展所述初始版图。6.根据权利要求4-5任一所述的版图的修正方法，其特征在于，还包括：对所述扩展版图进行再扩展。7.根据权利要求6所述的版图的修正方法，其特征在于，所述对所述扩展版图进行再扩展，包括：对所述中心版图进行二维扩展，对所述周边扩展版图进行一维扩展。8.根据权利要求4所述的版图的修正方法，其特征在于，所述对所述扩展版图进行修正得到修正版图，包括：重构所述扩展版图的层次结构；对重构后的所述扩展版图进行修正得到修正版图。9.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：许婷婷，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：