存储器装置制造方法及图纸

提供一种存储器装置。存储器装置包括基底、自旋轨道扭矩层和磁性穿隧接面。磁性穿隧接面与自旋轨道扭矩层堆叠于基底之上，且包括合成自由层、阻障层和参考层。合成自由层包括合成反铁磁结构、第一间隔件层和自由层，其中合成反铁磁结构设置在自旋轨道扭矩层和自由层之间。阻障层设置在合成自由层旁。参考层设置在阻障层旁。置在阻障层旁。置在阻障层旁。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置


[0001]本揭露实施例涉及存储器装置。

技术介绍

[0002]磁性随机存取存储器(magnetic random access memory；MRAM)是下一代存储器技术的主要候选者之一，其旨在超越各种现有存储器的性能。MRAM提供与易失性静态随机存取存储器(volatile static random access memory；SRAM)相当的性能和与易失性动态随机存取存储器(volatile dynamic random access memory；DRAM)相当的密度和更低的功耗。与非易失性快闪存储器(non
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volatile flash memory)相比，MRAM提供更快的访问速度，并且随着时间的推移遭受最小的劣化。自旋轨道扭矩MRAM(spin orbit torque MRAM；SOT
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MRAM)是一种类型的MRAM。与另一种类型的MRAM的自旋转移扭矩MRAM(spin transfer torque MRAM；STT
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MRAM)相比，SOT
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：基底；自旋轨道扭矩层；以及磁性穿隧接面，与所述自旋轨道扭矩层堆叠于所述基底之上且包括：合成自由层，包括合成反铁磁结构、第一间隔件层和自由层，其中所述合成反铁磁结构设置在所述自旋轨道扭矩层和所述自由层之间，且所述合成反铁磁结构经配置为改变所述自由层的磁化方向；阻障层，设置于所述合成自由层旁；以及参考层，设置在所述阻障层旁。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述合成反铁磁结构包括：第一铁磁层，具有第一磁化方向；第二铁磁层，具有不同于所述第一磁化取向的第二磁化方向；以及第二间隔件层，位于所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述第一铁磁层和所述第二铁磁层中的每一个包括钴
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铬合金、钴
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铁
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镍合金或钴
‑
铁合金。4.一种存储器装置，包括：写入晶体管和读取晶体管，形成在基底的表面区域上；自旋轨道扭矩层，位于所述写入晶体管和所述读取晶体管之上，且与所述写入晶体管的一端子和所述读取晶体管的一端子电连接；磁性穿隧接面，立于所述自旋轨道扭矩层上，且通过所述磁性穿隧接面的第一端子与所述自旋轨道扭矩层电耦合，其中所述磁性穿隧接面包括：合成自由层，包括合成反铁磁结构、自由层和在所述合成反铁磁结构和所述自由层之间的第一交换耦合金属层，其中所述合成反铁磁结构比所述自由层更接近所述自旋轨道扭矩层；阻障层，设置于所述合成自由层之上；以及参考层，设置于所述阻障层之上；以及位线，与所述磁性穿隧接面的第二端子电耦合。5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述写入晶体管的所述端子是所述写入晶体管的多个源极和漏极端子中的一者，所述读取晶体管的所述端子是所述读取晶体管的多个源极和漏极端子中的一者；以及所述合成反铁磁结构包括：第一铁磁层，具有第一磁化方向；第二铁磁层，具有不同于所述第一磁化方向的第二磁化方向；以及第二交换耦合金属层，位于所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述第一铁磁层和所述第二铁磁层中的每一个包括钴
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铬合金或钴
‑
铁
‑
镍合金，所述钴
‑
铬合金表示为Co1‑
x
Cr
x
，其中0.05<x<0.2，且所述钴
‑
铁
‑
镍合金表示为Co
x
‑
Fe
y
...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄彦霖，宋明远，李乾铭，林世杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：