磁畴壁移动元件和磁阵列制造技术

本发明专利技术提供一种磁畴壁移动元件和磁阵列。该磁畴壁移动元件包括：层叠体，其位于基板的上方，具有从靠近所述基板的一侧起依次层叠的铁磁性层、非磁性层和磁畴壁移动层；第1导电层；和第1表面层，所述非磁性层被夹在所述铁磁性层与所述磁畴壁移动层之间，所述第1导电层连接于所述磁畴壁移动层的上表面，所述第1表面层与所述磁畴壁移动层的上表面的至少一部分接触，所述第1表面层的电阻率比所述磁畴壁移动层的电阻率高。移动层的电阻率高。移动层的电阻率高。

【技术实现步骤摘要】
磁畴壁移动元件和磁阵列


[0001]本专利技术涉及磁畴壁移动元件和磁阵列。
[0002]本申请基于2020年12月15日在日本申请的特愿2020
‑
207649号以及2021年12月6日在美国申请的17/543,314号主张优先权，在此引用其内容。

技术介绍

[0003]取代在微细化方面可见极限的闪存等的下一代的非易失性存储器受到关注。例如，MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁性随机存储器)、ReRAM(Resistance Randome Access Memory，电阻式记忆存储器)、PCRAM(Phase Change Random Access Memory，相变存储器)等作为下一代的非易失性存储器而被公知。
[0004]MRAM将由于磁化方向的变化而产生的电阻值变化用于数据记录。为了实现记录存储器的大容量化，正在研究构成存储器的元件的小型化、构成存储器的每个元件的记录位的多值化。
[0005]在专利文献1中，记载了通过使磁畴壁移动层(第1铁磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁畴壁移动元件，其包括：层叠体，其位于基板的上方，具有从靠近所述基板的一侧起依次层叠的铁磁性层、非磁性层和磁畴壁移动层；第1导电层；和第1表面层，所述非磁性层被夹在所述铁磁性层与所述磁畴壁移动层之间，所述第1导电层连接于所述磁畴壁移动层的上表面，所述第1表面层与所述磁畴壁移动层的上表面的至少一部分接触，所述第1表面层的电阻率比所述磁畴壁移动层的电阻率高。2.如权利要求1所述的磁畴壁移动元件，其中，还包括与所述第1表面层的上表面接触的绝缘层。3.如权利要求1或2所述的磁畴壁移动元件，其中，所述第1表面层包含非晶或微晶。4.如权利要求1～3中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，所述第1表面层包含选自Bi、Ni、Cr、Ti、Zr、W中的至少任一种元素。5.如权利要求1～4中任一项所述的磁畴壁移动元件，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：米村祥吾，佐佐木智生，柴田龙雄，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：