用于处理半导体晶圆的设备以及用于控制引物施加气体中引物量的系统和方法技术方案

一种用于处理半导体晶圆的设备以及用于控制引物施加气体中引物量的系统和方法，用于控制引物施加气体中引物量的系统包括：第一感测器，该第一感测器用于侦测馈送至含有半导体晶圆的腔室中的引物施加气体中的第一含量；第二感测器，该第二感测器用于侦测自腔室排出的排出气体中的第二含量；以及流动控制装置，该流动控制装置基于来自第一感测器的第一感测器信号及来自第二感测器的第二感测器信号而控制引物施加气体中引物量。控制引物施加气体中引物量。控制引物施加气体中引物量。

【技术实现步骤摘要】
用于处理半导体晶圆的设备以及用于控制引物施加气体中引物量的系统和方法


[0001]本揭露关于一种用于处理半导体晶圆的设备以及用于控制引物施加气体中引物量的系统和方法。

技术介绍

[0002]在制造半导体装置时，使用光刻法来将图案(诸如，电路图案)的影像转移至在晶圆上形成的装置。通常，光刻法制程需要将光阻剂沉积在装置之上，将支承图案的遮罩在光阻剂之上对准，暴露穿过遮罩或由遮罩反射的光源(诸如，紫外光)并且至光阻剂层上，以及显影所暴露的光阻剂层以移除光阻剂的选定(暴露或非暴露)部分，借此图案化光阻剂层。
[0003]光刻法制程可以额外地包括沉积引物(例如，六甲基二硅氮烷(hexamethyldisilazane,HMDS))及一或多个烘烤制程。引物沉积制程可以经执行以改善光阻剂至装置(或装置的中间层)的粘着。烘烤制程可以经执行以在将光阻剂沉积至装置之上之前自装置移除水分或有机溶剂。

技术实现思路

[0004]根据本揭露的一些实施例，一种用于控制引物施加气体中引物量的系统包含：一第一感测器，其用于侦测馈送至一晶圆灌注腔室中的该本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于控制引物施加气体中引物量的系统，其特征在于，包含：一第一感测器，用于侦测馈送至一晶圆灌注腔室中的该引物施加气体中的一第一含量，其中该晶圆灌注腔室用以收纳一半导体晶圆；一第二感测器，用于侦测自该晶圆灌注腔室排出的一排出气体中的一第二含量；以及一流动控制装置，基于来自该第一感测器的一第一感测器信号及来自该第二感测器的一第二感测器信号而控制该引物施加气体中该引物量。2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，该第一含量包含该引物施加气体中的一氨气量，并且该第二含量包含该排出气体中的氨气、氮气、氧气或氢气中的至少一者的一量。3.如权利要求1所述的系统，其特征在于，该引物施加气体中的该引物包含六甲基二硅氮烷，并且该引物施加气体中的该载流气体包含氮气。4.如权利要求3所述的系统，其特征在于，该流动控制装置包含一控制阀，该控制阀定位于一载流气体管线中，该载流气体管线供应该载流气体至含有该引物的一引物容器。5.如权利要求4所述的系统，其特征在于，该流动控制装置通过控制该载流气体在该载流气体管线中的一流率来控制该引物施加气体中该引物量。6.如权利要求5所述的系统，其特征在于，该流动控制装置基于该第一感测器信号及该第二感测器信号的查找表值而提供该载流气体在该载流气体管线中的一期望流率。7.如权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏倍毅，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：