集成芯片及其形成方法技术

本公开实施例涉及一种集成芯片及其形成方法，集成芯片包括：衬底、第一图像感测元件及第二图像感测元件以及背侧深沟槽隔离(BDTI)结构。第一图像感测元件及第二图像感测元件彼此紧邻着布置在衬底之上，且具有第一掺杂类型。背侧深沟槽隔离结构布置在第一与第二图像感测元件之间，且包括第一隔离外延层、第二隔离外延层以及隔离填充结构。第一隔离外延层设定BDTI结构的最外侧壁且具有第一掺杂类型。第二隔离外延层沿着第一隔离外延层的内侧壁布置且具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型。隔离填充结构填充在第二隔离外延层的内侧壁之间。之间。之间。

【技术实现步骤摘要】
集成芯片及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种集成芯片及其形成方法。

技术介绍

[0002]许多当今的电子器件(例如，数字照相机及摄像机)含有图像传感器以将光学图像转换成数字数据。图像传感器包括像素区阵列。每一像素区含有被配置成俘获光学信号(例如，光)并将光学信号转换成数字数据(例如，数字图像)的光电二极管。互补金属氧化物半导体(complementary metal
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oxide
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semiconductor，CMOS)图像传感器(CMOS image sensor，CIS)常常被用在电荷耦合器件(charge
‑
coupled device，CCD)图像传感器之上，这是因为CMOS图像传感器具有许多优点，例如功耗更低、数据处理更快及制造成本更低。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种集成芯片，其包括：衬底、第一图像感测元件及第二图像感测元件以及背侧深沟槽隔离结构。第一图像感测元件及第二图像感测元件彼此紧邻着布置在衬底之上，且具有第一掺杂类型。背侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，包括：衬底；第一图像感测元件及第二图像感测元件，彼此紧邻着布置在所述衬底之上，所述第一图像感测元件及所述第二图像感测元件具有第一掺杂类型；以及背侧深沟槽隔离结构，布置在所述第一图像感测元件与所述第二图像感测元件之间且包括：第一隔离外延层，设定所述背侧深沟槽隔离结构的最外侧壁且具有所述第一掺杂类型；第二隔离外延层，沿着所述第一隔离外延层的内侧壁布置且具有与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型；以及隔离填充结构，填充在所述第二隔离外延层的内侧壁之间。2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述隔离填充结构包含介电材料。3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述第一隔离外延层比所述第二隔离外延层更厚。4.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：高介电常数介电层，布置在所述第二隔离外延层之上。5.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述第二隔离外延层设置在所述第一隔离外延层的所述内侧壁上且延伸至上覆于所述第一图像感测元件及所述第二图像感测元件上。6.一种形成集成芯片的方法，包括：在衬底中形成包含第一掺杂类型的深阱；在所述深阱内形成多个深沟槽，以将所述深阱分隔成多个图像感测元件；执行刻蚀工艺，以移除所述深阱的暴露到所述深沟槽的上部部分并扩大所述深沟槽；执行低温外延生长工艺，以在所述深沟槽内形成所述第一掺杂类型的第一隔离外延层且在所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑有宏，李静宜，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：