【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法
[0001]本揭示内容是关于一种制造半导体装置的方法。
技术介绍
[0002]随着消费装置因应消费者需求变得越来越小，装置的各个元件也需要缩小尺寸。半导体装置是手机和计算机平板等装置的主要组成元件，受到需要越来越小的压力，而半导体装置内的单个装置(例如晶体管、电阻器和电容器等)也面临相应的压力需要缩小尺寸。
[0003]半导体装置制造过程中使用的一种致能技术是微影材料的使用。此种材料应用于要进行图案化的层的表面，将其曝露于能量以进行图案化。此种曝露改变光敏材料在曝露区域的化学性质和物理性质。此种改变加上光敏材料在非曝露区域的未改变可用于移除一个区域而不移除另一个区域。
[0004]然而随着单个装置的尺寸缩小，微影能处理的范围也变得越来越窄。因此在微影处理的领域取得进展以保有缩小装置尺寸的能力是必要的，而且进一步的改进以达到需要的设计标准从而持续向越来越小的元件迈进也是必要的。
技术实现思路
[0005]本揭示内容是关于一种制造半导体装置的方法，在一些实施方式中，此方法包括...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：形成一光阻剂结构，包括在一基板上形成包括一光阻剂组成物的一光阻剂层；以及在形成该光阻剂层之后，以一添加剂处理该光阻剂层，其中该添加剂是选自由一自由基抑制剂、一热自由基抑制剂和一光自由基抑制剂所组成的群组中的一个或多个。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该光阻剂结构进一步包括在形成该光阻剂层之前在该基板上形成包括一底层组成物的一底层，其中该底层阻成物包括该添加剂，以及在以该添加剂处理该光阻剂层时，该添加剂从该底层扩散到该光阻剂层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该光阻剂结构进一步包括在形成该光阻剂层之后在该光阻剂层上形成包括一顶层组成物的一顶层，其中该顶层组成物包括该添加剂，以及在以该添加剂处理该光阻剂层时，该添加剂从该顶层扩散到该光阻剂层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该光阻剂结构包括形成一三层光阻剂结构，包括：形成一底部层在该基板上；形成一中间层在该底部层上；以及形成一上方层在该中间层上，其中该上方层是该光阻剂层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，该中间层包括该添加剂，以及在以该添加剂处理该光阻剂层时，该添加剂从该中间层扩散到该光阻剂层。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：选择性地曝...
【专利技术属性】
技术研发人员：訾安仁，张庆裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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