制造半导体装置的方法制造方法及图纸

制造半导体装置的方法包括形成光阻剂结构，包括在基板上形成包括光阻剂组成物的光阻剂层。形成光阻剂层之后，以添加剂处理光阻剂层。添加剂选自由自由基抑制剂、热自由基抑制剂和光自由基抑制剂所组成的群组中的一个或多个。多个。多个。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法


[0001]本揭示内容是关于一种制造半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]随着消费装置因应消费者需求变得越来越小，装置的各个元件也需要缩小尺寸。半导体装置是手机和计算机平板等装置的主要组成元件，受到需要越来越小的压力，而半导体装置内的单个装置(例如晶体管、电阻器和电容器等)也面临相应的压力需要缩小尺寸。
[0003]半导体装置制造过程中使用的一种致能技术是微影材料的使用。此种材料应用于要进行图案化的层的表面，将其曝露于能量以进行图案化。此种曝露改变光敏材料在曝露区域的化学性质和物理性质。此种改变加上光敏材料在非曝露区域的未改变可用于移除一个区域而不移除另一个区域。
[0004]然而随着单个装置的尺寸缩小，微影能处理的范围也变得越来越窄。因此在微影处理的领域取得进展以保有缩小装置尺寸的能力是必要的，而且进一步的改进以达到需要的设计标准从而持续向越来越小的元件迈进也是必要的。

技术实现思路

[0005]本揭示内容是关于一种制造半导体装置的方法，在一些实施方式中，此方法包括形成光阻剂结构，包括在基板上形成包括光阻剂组成物的光阻剂层；以及在形成光阻剂层之后，以添加剂处理光阻剂层，其中添加剂是选自由自由基抑制剂、热自由基抑制剂和光自由基抑制剂所组成的群组中的一个或多个。
[0006]在一些实施方式中，此方法包括在基板上形成含金属光阻剂层；在形成含金属光阻剂层之前形成第一层在基板上，或是在形成含金属光阻剂层之后形成第一层在含金属光阻剂层上；以及从第一层扩散添加剂到含金属光阻剂层，其中添加剂是选自由自由基抑制剂、热自由基抑制剂和光自由基抑制剂所组成的群组中的一个或多个。
[0007]在一些实施方式中，此方法包括在基板上形成光阻剂层，其中光阻剂层包括金属光阻剂组成物；在光阻剂层上形成顶层，其中顶层包括聚合物和自由基抑制化合物；图案状曝露光阻剂层于光化辐射；以及显影图案状曝露的光阻剂层，以在光阻剂层形成图案。
附图说明
[0008]在阅读附图时，最好从以下详细叙述了解本揭露。需注意的是，按照工业的标准做法，各种特征没有依比例绘制，而且仅用以达到解说的目的。事实上，为了使讨论清晰，可能任意增加或减少各种特征的尺寸。
[0009]图1根据揭露的实施例说明半导体装置的制造过程流程；
[0010]图2根据揭露的实施例说明半导体装置的制造过程流程；
[0011]图3根据揭露的实施例说明半导体装置的制造过程流程；
[0012]图4根据揭露的实施例说明半导体装置的制造过程流程；
[0013]图5根据揭露的实施例说明半导体装置的制造过程流程；
[0014]图6A、图6B、图6C和图6D根据揭露的实施例说明依序操作的过程阶段；
[0015]图7A、图7B和图7C根据揭露的实施例说明一种操作的依序过程阶段；
[0016]图8A、图8B、图8C、图8D和图8E根据揭露的实施例说明一种操作的依序过程阶段；
[0017]图9A、图9B和图9C根据揭露的实施例说明一种操作的依序过程阶段；
[0018]图10A、图10B、图10C和图10D根据揭露的实施例说明一种操作的依序过程阶段；
[0019]图11A、图11B和图11C根据揭露的实施例说明一种操作的依序过程阶段；
[0020]图12A、图12B、图12C、图12D、图12E和图12F根据揭露的实施例说明依序操作的过程阶段；
[0021]图13A和图13B根据揭露的实施例说明一种操作的依序过程阶段；
[0022]图14A、图14B、图14C和图14D根据揭露的实施例说明一种操作的依序过程阶段；
[0023]图15A和图15B根据揭露的实施例说明一种操作的依序过程阶段；
[0024]图16A、图16B和图16C根据揭露的实施例说明依序操作的过程阶段；
[0025]图17A、图17B和图17C根据揭露的实施例说明依序操作的过程阶段；
[0026]图18A和图18B根据揭露的实施例说明依序操作的过程阶段；
[0027]图19根据揭露的实施例说明一种操作的依序过程阶段；
[0028]图20根据揭露的实施例说明自由基抑制剂的示例；
[0029]图21根据揭露的实施例说明热自由基抑制剂的示例；
[0030]图22A和图22B根据揭露的实施例说明光自由基抑制剂的示例；
[0031]图23A、图23B和图23C根据揭露的实施例说明有机金属前驱物；
[0032]图24根据揭露的实施例说明光阻剂沉积装置；
[0033]图25根据揭露的实施例说明光阻剂层因曝露于光化辐射和加热而进行的反应；
[0034]图26A、图26B、图26C、图26D、图26E和图26F根据揭露的实施例说明一种操作的依序过程阶段；
[0035]图27根据揭露的实施例说明依序操作的过程阶段；
[0036]图28根据揭露的实施例说明依序操作的过程阶段；
[0037]图29A和图29B根据揭露的实施例说明依序操作的过程阶段；
[0038]图30A和图30B根据揭露的实施例说明依序操作的过程阶段；
[0039]图31根据揭露的实施例说明依序操作的过程阶段；
[0040]图32根据揭露的实施例说明依序操作的过程阶段。
[0041]【符号说明】
[0042]10:基板
[0043]15:光阻剂层
[0044]19:添加剂
[0045]20:底层
[0046]20':底层
[0047]20a:底部层
[0048]20b:中间层
[0049]21:加热器
[0050]22:光阻剂结构
[0051]25':顶层
[0052]25:顶层
[0053]30:光罩
[0054]35:不透明图案
[0055]40:光罩基板
[0056]45:光化辐射
[0057]50:曝露部分
[0058]52:非曝露部分
[0059]55:开口图案
[0060]55':凹陷图案
[0061]55”:图案
[0062]55”':图案
[0063]57:显影剂
[0064]58:显影剂
[0065]60:目标层
[0066]62:分注器
[0067]65:反射式光罩
[0068]70:低热膨胀玻璃基板
[0069]75:反射多层
[0070]80:覆盖层
[0071]85:吸收层
[0072]90:背面导电层
[0073]95:极紫外光辐射
[0074]97:极紫外光辐射
[0075]100:方法
[0076]105:干显影剂
[0077]200:沉积装置
[0078]205:真空腔体
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：形成一光阻剂结构，包括在一基板上形成包括一光阻剂组成物的一光阻剂层；以及在形成该光阻剂层之后，以一添加剂处理该光阻剂层，其中该添加剂是选自由一自由基抑制剂、一热自由基抑制剂和一光自由基抑制剂所组成的群组中的一个或多个。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该光阻剂结构进一步包括在形成该光阻剂层之前在该基板上形成包括一底层组成物的一底层，其中该底层阻成物包括该添加剂，以及在以该添加剂处理该光阻剂层时，该添加剂从该底层扩散到该光阻剂层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该光阻剂结构进一步包括在形成该光阻剂层之后在该光阻剂层上形成包括一顶层组成物的一顶层，其中该顶层组成物包括该添加剂，以及在以该添加剂处理该光阻剂层时，该添加剂从该顶层扩散到该光阻剂层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该光阻剂结构包括形成一三层光阻剂结构，包括：形成一底部层在该基板上；形成一中间层在该底部层上；以及形成一上方层在该中间层上，其中该上方层是该光阻剂层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，该中间层包括该添加剂，以及在以该添加剂处理该光阻剂层时，该添加剂从该中间层扩散到该光阻剂层。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：选择性地曝...

【专利技术属性】
技术研发人员：訾安仁，张庆裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：