半导体装置、半导体晶片与制造半导体晶片的方法制造方法及图纸

一种半导体装置、半导体晶片与制造半导体晶片的方法，半导体装置包含一源极结构，该源极结构包含主动源极部分、在垂直方向上与主动源极部分间隔开的非主动源极部分、及插入主动源极部分与非主动源极部分之间的第一介电结构。漏极结构在第一方向上与源极结构间隔开。通道层设置于源极结构及漏极结构的外表面上。记忆体层设置于通道层的外表面上，以便包覆于通道层周围。至少一栅极层与主动源极部分电连接。接。接。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置、半导体晶片与制造半导体晶片的方法


[0001]本揭露是关于一种半导体装置、半导体晶片与制造半导体晶片的方法。

技术介绍

[0002]本揭露是关于半导体装置，且特别是关于制造三维(3
‑
dimesional,3D)记忆体装置的方法。
[0003]由于多种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高来自于最小特征尺寸的反复减小，这允许更多的组件整合至给定面积中。

技术实现思路

[0004]在一些实施例中，半导体装置包含：源极结构，包含主动源极部分、在垂直方向上与主动源极部分间隔开的非主动源极部分、及插入主动源极部分与非主动源极部分之间的第一介电结构；在第一方向上与源极结构间隔开的漏极结构；通道层，设置于源极结构及漏极结构的外表面上；记忆体层，设置于通道层的外表面上，以便包覆于通道层周围；及与主动源极部分电连接的至少一栅极层。
[0005]在一些实施例中，半导体晶片包含：一记忆体装置阵列。该记忆体装置阵列中的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一源极结构，包含一主动源极部分、在一垂直方向上与该主动源极部分间隔开的一非主动源极部分、及插入该主动源极部分与该非主动源极部分之间的一第一介电结构；一漏极结构，在一第一方向上与该源极结构间隔开；一通道层，设置于该源极结构及该漏极结构的多个外表面上；一记忆体层，设置于该通道层的一外表面上，以便包覆于该通道层周围；及至少一栅极层，与该主动源极部分电连接。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中：该漏极结构包含一主动漏极部分、在一垂直方向上与该主动漏极部分间隔开的一非主动漏极部分、及插入该主动漏极部分与该非主动漏极部分之间的一第二介电结构，且该至少一栅极层与该主动漏极部分电连接。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该主动源极部分在该垂直方向上位于近接于该半导体装置的一第一表面，且该主动漏极部分在该垂直方向上位于近接于该半导体装置的与该第一表面相对的一第二表面。4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该非主动源极部分及该非主动漏极部分中的各者的一厚度分别大于该主动源极部分及该主动漏极部分中的各者的一相应厚度。5.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该至少一栅极层包含：与该主动源极部分电连接的一第一栅极层，与该主动漏极部分电连接的一第二栅极层，及耦合至该非主动源极部分及该非主动漏极部分的至少一第三栅极层。6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该第一栅极层及该第二栅极层中的至少一者的一厚度大于该至少一第三栅极层的一厚度。7.一种半导体晶片，其特征在于，包含：一记...

【专利技术属性】
技术研发人员：林孟汉，黄家恩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：