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一种半导体装置、半导体晶片与制造半导体晶片的方法，半导体装置包含一源极结构，该源极结构包含主动源极部分、在垂直方向上与主动源极部分间隔开的非主动源极部分、及插入主动源极部分与非主动源极部分之间的第一介电结构。漏极结构在第一方向上与源极结构间...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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