沉积工具与半导体处理工具制造技术

本发明专利技术实施例提供一种沉积工具及半导体处理工具。沉积工具包括电力电缆基座，所述电力电缆基座包括具有第一表面及第二表面的基座本体以及从第一表面到第二表面延伸穿过基座本体的引导孔，其中引导孔的侧壁的至少部分具有倾斜表面，且其中基座本体是由具有高于聚甲醛(POM)熔点的熔点的第一材料形成。所述沉积工具包括布置在引导孔之上的套管，其中所述套管是由具有高于POM熔点的熔点的第二材料形成。成。成。

【技术实现步骤摘要】
沉积工具与半导体处理工具


[0001]本专利技术实施例是有关于一种沉积工具与半导体处理工具。

技术介绍

[0002]沉积工具可在用于制造集成电路及器件的制作工艺期间利用物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)工艺。PVD是在真空腔室中执行的等离子体工艺，在真空腔室中，偏置的靶(biased target)被暴露于具有相对重的原子的惰性气体(例如，氩(Ar))或包含此种惰性气体的气体混合物的等离子体。惰性气体的离子对靶的轰击(bombardment)导致靶材料的原子喷射。所喷射的原子在放置在腔室中的靶下方的衬底上积累成沉积膜。可使用PVD沉积的材料的一个实例是铝
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铜(AlCu)。在一些情形中，沉积工具需要高功率(例如，超过10000瓦(W))来执行例如PVD等沉积工艺。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种沉积工具，其包括电力电缆基座与套管。电力电缆基座包括基座本体以及引导孔。基座本体具有第一表面及第二表面。引导孔从所述第一表面到所述第二表面延伸穿过所述基座本体，其中所述引导孔的侧壁的至少部分具有倾斜表面，且其中所述基座本体是由第一材料形成，所述第一材料的熔点高于聚甲醛熔点。套管布置在所述引导孔之上，其中所述套管是由第二材料形成，所述第二材料的熔点高于所述聚甲醛熔点。
[0004]本专利技术实施例提供一种半导体处理工具，其包括基座。基座包括基座本体以及引导孔。基座本体具有第一表面及第二表面。引导孔从所述第一表面延伸到所述第二表面，且包括第一部分及第二部分，其中所述引导孔的所述第一部分在所述第一表面处的宽度大于所述引导孔的所述第二部分的宽度，所述基座本体是由陶瓷材料或聚芳醚酮(PAEK)材料形成。
[0005]本专利技术实施例提供一种装置，其包括基座。基座包括基座本体，其中所述基座本体是由具有高于聚甲醛熔点的熔点的材料形成。引导孔从所述基座本体的第一表面延伸到所述基座本体的第二表面而延伸穿过所述基座本体，其中所述引导孔在所述基座本体的所述第一表面处的宽度被配置成防止所述基座本体与突起接触，所述突起位于在其上放置所述引导孔的表面之上。
附图说明
[0006]结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1A及图1B是本文中所述示例性半导体处理工具的图。
[0008]图2A到图2C是本文中所述示例性实施方案的图。
具体实施方式
[0009]以下公开提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及布置的具体实例以简化本公开。当然，这些仅为实例而非旨在进行限制。举例来说，在以下说明中，在第二特征之上或第二特征上形成第一特征可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中在第一特征与第二特征之间可形成附加特征从而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复使用参考编号和/或字母。此种重复使用是出于简单及清晰的目的，且自身并不表示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
[0010]此外，为易于说明，本文中可使用例如“在
……
之下(beneath)”、“在
……
下方(below)”、“下部的(lower)”、“在
……
上方(above)”、“上部的(upper)”及类似用语等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。除图中所绘示的定向以外，所述空间相对性用语还旨在囊括器件在使用或操作中的不同定向。装置可具有其他定向(旋转90度或处于其他定向)，且本文中所使用的空间相对性描述语可同样相应地加以解释。
[0011]沉积工具包括用于支撑电力电缆(power cable)(例如，直流(direct current，DC)电力电缆)的电力电缆基座，所述电力电缆提供与和执行PVD工艺相关联地偏置沉积工具的靶相关联地电力。电力电缆基座及布置在电力电缆基座之上的套管(bushing)(例如，与引导销钉螺杆(pin screw)穿过电力电缆基座相关联)通常由例如聚甲醛(Polyoxymethylene，POM)等具有相对低熔点(例如，近似165摄氏度(℃))的热塑性材料形成。
[0012]然而，当执行PVD工艺时，在沉积工具的操作期间存在的高功率条件下，热塑性电力电缆基座及套管易于熔化。电力电缆基座和/或套管的熔化可能导致火线与接地(ground)之间的短路，此会触发功率警报或导致火灾负荷风险，其可能降低沉积工具的可用性、增加晶片报废(wafer scrapping)、触发预防性维护的需要或触发替换电力电缆和/或沉积工具的一个或多个其他相关组件的需要。
[0013]本文中所述的一些实施方案提供用于降低沉积工具中的功率警报及火灾负荷风险的技术及装置。在一些实施方案中，沉积工具包括由例如陶瓷材料、聚芳醚酮(Polyaryletherketone，PAEK)材料等具有相对高熔点(例如，高于165℃的熔点)的材料或具有高于POM熔点的熔点的另一种类型的材料所形成的电力电缆基座和/或套管。在一些实施方案中，此种材料的使用会提高电力电缆基座及套管的熔点，此会防止电力电缆基座及套管的熔化，且(例如，通过防止火线与接地之间的短路)从而降低触发功率警报或火灾负荷风险的可能性。因此，沉积工具的可用性提高、晶片报废减少、预防性维护的频率降低和/或需要替换电力电缆和/或沉积工具的一个或多个其他相关组件的频率降低。此外，由于防止了电力电缆基座及套管的熔化，因此替换电力电缆基座及套管的成本被消除，且在电力电缆基座或套管熔化之后所需的清洁沉积工具的其他组件所招致的成本也被消除。应注意，不需要向沉积工具添加附加的组件来提供本文中所述的此种功率警报及火灾负荷风险的降低。
[0014]在一些实施方案中，电力电缆基座包括与引导销钉螺杆相关联的引导孔，其中引导孔延伸穿过基座本体(例如，从下表面到上表面)。在一些实施方案中，引导孔的侧壁的位
于下表面处的部分具有倾斜表面，且引导孔在基座本体的下表面处的宽度被配置成防止基座本体撞击沉积工具的腔室上的销钉螺杆接触件(pin screw contact)，从而防止电力电缆基座的裂纹(cracking)。下文提供附加细节。
[0015]图1A及图1B是示出本文中所述半导体处理工具100的图。示例性半导体处理工具100包括沉积工具的实例(例如，被配置成执行PVD工艺的半导体处理工具)。图1A是示出半导体处理工具100的横截面的图，而图1B是示出与向半导体处理工具100的靶施加电力相关联的组件的图。
[0016]如图1A中所示，半导体处理工具100包括形成腔室104的安全壳屏蔽体(containment shield)102。晶片106由晶片基座108支撑并在腔室104中就位。在一些实施方案中，晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沉积工具，包括：电力电缆基座，包括：基座本体，具有第一表面及第二表面，以及引导孔，从所述第一表面到所述第二表面延伸穿过所述基座本体，其中所述引导孔的侧壁的至少部分具有倾斜表面，且其中所述基座本体是由第一材料形成，所述第一材料的熔点高于聚甲醛熔点；以及套管，布置在所述引导孔之上，其中所述套管是由第二材料形成，所述第二材料的熔点高于所述聚甲醛熔点。2.根据权利要求1所述的沉积工具，其中所述引导孔在所述第一表面处的宽度大于所述引导孔在所述第二表面处的宽度。3.根据权利要求1所述的沉积工具，其中所述引导孔的一部分的宽度在从所述第一表面朝向所述第二表面的方向上减小。4.根据权利要求1所述的沉积工具，其中所述引导孔的所述侧壁的至少部分不垂直于所述第一表面或所述第二表面。5.根据权利要求1所述的沉积工具，其中所述引导孔在所述基座本体的所述第一表面处的宽度被配置成防止所述基座本体撞击所述沉积工具的腔室上的销钉螺杆接触件。6.一种半导体处理工具，包括：基座，包括：基座本体，具有第一表面及第二表面；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：周智伟，纪元兴，林生元，周银铜，王宏志，刘育奇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：